[发明专利]基板处理方法

说明书

本发明的基板处理方法对在表面形成有低介电常数覆膜的基板W进行处理。执行致密化工序，在该致密化工序中，通过使低介电常数覆膜的表层部致密化来转换成致密化层。然后，执行修复液供给工序，在该修复液供给工序中，在致密化层形成工序之后，向低介电常数覆膜的表面供给用于修复致密化层的修复液。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的基板处理方法。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

近年来，在利用基板所制作的器件(例如，半导体器件)中，为了配线彼此的绝缘等而设置有层间绝缘膜。为了实现器件的高速化，要求层间绝缘膜的寄生电容降低。于是，为了降低寄生电容，提出了如下内容：将低介电常数覆膜用作层间绝缘膜，该低介电常数覆膜由介电常数比氧化硅(SiO₂)低(例如，4.0以下)的材料即低介电常数(Low-k)材料构成。

在对基板实施干蚀刻或化学研磨法(Chemical Mechanical Polishing：CMP)时，有时低介电常数覆膜会受到损伤。在已受到损伤的低介电常数覆膜的表面附近系形成有损伤层，由此，低介电常数覆膜的介电常数会上升。因此，可能无法获得所期待的器件特性。因此，在专利文献1中公开了一种修复低介电常数覆膜所受到的损伤的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-10610号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1所记载的方法中，将损伤层暴露于损伤修复剂中，并且对损伤修复剂进行加压。由此，损伤修复剂容易浸透至损伤层的内部。

但是，在专利文献1所记载的方法中，有时损伤修复剂会越过损伤层而浸透至未受到损伤的部分。即，损伤修复剂可能过度地浸透至低介电常数覆膜。

由于损伤修复剂浸透至低介电常数覆膜中并未受到损伤的部分，因此，低介电常数覆膜的介电常数可能会发生变化。而且，难以将暂时浸透至低介电常数覆膜中的损伤修复剂从低介常数覆膜排除。

因此，本发明的一个目的在于，提供一种能够抑制液状的修复剂向低介电常数覆膜过度地浸透的基板处理方法。

用于解决问题的手段

本发明提供一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，所述基板处理方法包括：致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部的损伤层致密化来转换成致密化层；以及修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液。

根据该方法，向形成于表层部的损伤层已被转换成致密化层的低介电常数覆膜的表面供给修复液。由此，液状的修复液浸透至致密化层，致密化层的损伤被修复。在使损伤层致密化时以致密化层的厚度变为所期望的厚度(例如1nm至5nm)的方式来调整致密化的程度，由此，在修复液供给工序中，能够抑制供给至低介电常数覆膜的表面的修复液越过致密化层而浸透至低介电常数覆膜。即，能够抑制修复液过度地浸透至低介电常数覆膜。

在本发明的一实施方式中，所述致密化工序包括形成与所述损伤层相比所述修复液难以浸透的所述致密化层的工序。