[发明专利]高性能超βNPN(SBNPN)

权利要求书

1.一种用于制造具有1000或更大的共发射极电流增益的超βNPN晶体管即SBNPN晶体管的方法，所述方法包括：

在P型外延层上沉积正硅酸乙酯层即TEOS层；

在所述TEOS层上沉积氮化物层；

通过选择性地蚀刻掉部分所述氮化物层和部分所述TEOS层来图案化所述SBNPN晶体管的发射极区域；

在所述氮化物层的顶部、沿着所述氮化物层和所述TEOS层的侧面以及在所述P型外延层的顶部上沉积第二TEOS层；以及

通过所述第二TEOS层利用N型离子注入所述P型外延层，以形成所述SBNPN晶体管的所述发射极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二TEOS层包括在所述氮化物层和所述TEOS层的底切区域中填充。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二TEOS层包括利用低温、低沉积速率工艺沉积所述第二TEOS层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二TEOS层充当用于所述注入步骤的屏蔽氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述第二TEOS层之前去除所述SBNPN晶体管的所述发射极区域内的所述TEOS层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述注入步骤之前在所述第二TEOS层上沉积光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述第二TEOS层利用N型离子注入所述P型外延层包括利用砷注入所述P型外延层。

8.一种用于制造具有1000或更大的共发射极电流增益的超βNPN晶体管即SBNPN晶体管的方法，所述方法包括：

在P型外延层上沉积屏蔽氧化物层、第一正硅酸乙酯层即第一TEOS层、氮化物层和第一光刻胶层；

图案化所述第一光刻胶层以暴露所述SBNPN晶体管的发射极区域；

蚀刻掉所述SBNPN晶体管的所述发射极区域中的所述屏蔽氧化物层、所述第一TEOS层、所述氮化物层；

去除所述第一光刻胶层；

在所述SBNPN晶体管的所述发射极区域中的所述氮化物层上方和所述P型外延层上方沉积第二TEOS层；

在所述第二TEOS层上沉积第二光刻胶层；

图案化所述第二光刻胶层以暴露所述SBNPN晶体管的发射极注入区域；以及

通过所述第二TEOS层注入所述P型外延层以形成所述SBNPN晶体管的所述发射极区域。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括去除所述第二光刻胶层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括蚀刻掉所述SBNPN晶体管的所述发射极区域中的所述第二TEOS层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括沉积发射极多晶硅层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积所述第二TEOS层包括在所述氮化物层和所述第一TEOS层的底切区域中填充。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积所述第二TEOS层包括利用低温、低沉积速率工艺沉积所述第二TEOS层。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二TEOS层充当用于所述注入步骤的屏蔽氧化物。