[发明专利]基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置有效
申请号: | 201780053446.2 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN109661718B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 樋口鲇美;小森香奈 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 规程 作成 以及 装置 | ||
1.一种基板清洗规程作成方法,为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据,所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板;其中,
所述基板清洗处理包含:
部分蚀刻步骤,将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止;以及
物理清洗步骤,在所述部分蚀刻步骤之后,对所述基板的表面执行物理清洗;
所述基板清洗规程作成方法包含:
部分蚀刻工序作成步骤,作成用以执行所述部分蚀刻步骤的工序数据;
物理清洗工序作成步骤,作成用以执行所述物理清洗步骤的工序数据;以及
条件匹配步骤,基于已预先准备并储存于存储单元的匹配基准数据来使所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件和所述物理清洗步骤中的物理清洗条件的关系相互匹配,
所述部分蚀刻工序作成步骤包含作成包含所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件的工序数据的步骤;
在所述条件匹配步骤中执行以下步骤:运算单元基于所述匹配基准数据来提示或设定匹配于蚀刻条件的物理清洗条件,所述蚀刻条件包含于在所述部分蚀刻工序作成步骤中所作成的工序数据中。
2.一种基板清洗规程作成方法,为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据,所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板;其中,
所述基板清洗处理包含:
部分蚀刻步骤,将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止;以及
物理清洗步骤,在所述部分蚀刻步骤之后,对所述基板的表面执行物理清洗;
所述基板清洗规程作成方法包含:
部分蚀刻工序作成步骤,作成用以执行所述部分蚀刻步骤的工序数据;
物理清洗工序作成步骤,作成用以执行所述物理清洗步骤的工序数据;以及
条件匹配步骤,基于已预先准备并储存于存储单元的匹配基准数据来使所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件和所述物理清洗步骤中的物理清洗条件的关系相互匹配,
所述物理清洗工序作成步骤包含作成包含所述物理清洗步骤中的物理清洗条件的工序数据的步骤;
在所述条件匹配步骤中执行以下步骤:运算单元基于所述匹配基准数据来提示或设定匹配于物理清洗条件的蚀刻条件,所述物理清洗条件包含于在所述物理清洗工序作成步骤中所作成的工序数据中。
3.一种基板清洗规程作成装置,为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据,所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板;
所述基板清洗处理包含:
部分蚀刻步骤,将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止;以及
物理清洗步骤,在所述部分蚀刻步骤之后,对所述基板的表面执行物理清洗;
所述基板清洗规程作成装置包含:
指令输入单元,接受用户的指令输入;
部分蚀刻工序作成单元,按照自所述指令输入单元所输入的指令,来作成用以执行所述部分蚀刻步骤的工序数据;
物理清洗工序作成单元,按照自所述指令输入单元所输入的指令,来作成用以执行所述物理清洗步骤的工序数据;以及
条件匹配单元,基于已预先准备并储存于存储单元的匹配基准数据来使所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件和所述物理清洗步骤中的物理清洗条件的关系匹配,
所述部分蚀刻工序作成单元包含按照自所述指令输入单元所输入的指令,来作成已设定所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件的工序数据的单元;
所述条件匹配单元包含基于所述匹配基准数据来提示或设定匹配于蚀刻条件的物理清洗条件的单元,所述蚀刻条件包含于通过所述部分蚀刻工序作成单元所作成的工序数据中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造