[发明专利]基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置

说明书

提供一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板。该方法包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。所述氧化膜亦可为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。在此情况下，所述部分蚀刻步骤亦可为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤。此外，所述物理清洗亦可为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。

技术领域

本发明涉及一种清洗基板的方法、以及作成用于清洗基板的规程(recipe)的方法及装置。本发明还涉及一种用以使计算机具有作为基板清洗规程作成装置的功能的计算机程序(computer program)。在清洗对象的基板中，包含例如半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、等离子体显示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；场致发光显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

为了半导体晶片等的基板的清洗，有的情况能应用所谓的物理清洗。所谓物理清洗指通过物理的作用，更具体而言是通过力学的能量(energy)来去除基板表面的异物(以下称为“颗粒(particle)”)的处理。物理清洗的具体例为超声波清洗、双流体清洗、喷墨(inkjet)清洗、固化溶解清洗等，这些已分别记载于专利文献1至专利文献3等中。

例如，双流体清洗是使用双流体喷嘴(two fluid nozzle)将已混合气体及液体后的混合流体供给至基板的表面的处理。混合流体中的液滴碰撞于基板的表面，且通过该冲击使基板的表面的颗粒从基板脱离而去除。混合流体所具有的动能越大就越能获得较大的去除性能，另一方面，如果动能过大，则基板表面的器件(device)形成用的图案(pattern)恐有受到损伤(例如图案倒塌)的担心。即，颗粒去除与图案损伤是处于取舍(trade-off)的关系。因此，较佳的是在不发生图案损伤的范围内尽可能使用具有较大的动能的混合流体。

此情形即便是在其他的物理清洗中亦为同样。即，在各个清洗处理中设定有用以调整物理力的参数(parameter)，以便将在不发生图案损伤的范围内尽可能地使较大的物理力(能量)提供给基板上的颗粒。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-214757号公报。

专利文献2：日本特开2003-275696号公报。

专利文献3：日本特开2014-179449号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

伴随形成于基板的表面的图案的微细化，以较小的物理力就会发生图案损伤。相应于此，能去除基板上的颗粒且能回避基板上的图案的损伤的物理力或物理能量的范围，亦即处理窗口(process window)会变小。因此，难以通过物理清洗来一边回避图案损伤一边实现优异的颗粒去除性能。

因此，本发明的一个目的在于提供一种基板清洗方法，能应用物理清洗高效地去除基板上的颗粒，且能抑制基板上的图案的损伤。

本发明的另一目的在于提供一种作成用以执行如前述的基板清洗方法的基板清洗规程的方法及装置。

本发明的又一目的在于提供一种用以使计算机具有作为基板清洗规程作成装置的功能的计算机程序。

用于解决问题的手段

本发明提供一种清洗在表面具有氧化膜的基板的基板清洗方法，包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。