[发明专利]研磨用组合物和研磨用组合物套组

说明书

本发明提供对表面缺陷的降低有效的研磨用组合物。根据本发明所提供的研磨用组合物包含磨粒、水溶性高分子和碱性化合物。上述水溶性高分子包含满足下述条件(1)、(2)这两者的聚合物A。(1)在一分子中包含乙烯醇单元和非乙烯醇单元。(2)利用[(C1‑C2)/C1]×100计算出的吸附参数为5以上。此处，C1是包含上述聚合物A 0.017重量％、氨0.009重量％的试验液L1中所包含的有机碳的总量。上述C2是对包含BET直径35nm的胶体二氧化硅0.46重量％、上述聚合物A 0.017重量％、氨0.009重量％的试验液L2离心分离而使上述磨粒沉淀的上清液中所包含的有机碳的总量。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物和研磨用组合物套组。本申请基于2016年8月31日申请的日本专利申请2016-170184号主张优先权，将该申请的全部内容作为参考引入本说明书中。

背景技术

对金属、半金属、非金属、其氧化物等的材料表面使用含有磨粒的研磨用组合物进行了研磨。例如，用于半导体制品的制造等的硅基板的表面通常经过打磨工序和抛光工序而被精加工为高品质的镜面。上述抛光工序典型的是包含预研磨工精加工研磨工序。作为涉及主要用于研磨硅晶圆等半导体基板为目的研磨用组合物的技术文献，可列举出专利文献1～3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/148399号

专利文献2：日本专利申请公开2015-109423号公报

专利文献3：日本专利申请公开2016-56220号公报

发明内容

发明要解决的问题

对用于精研磨工序的研磨用组合物要求实现在研磨后雾度低且实现表面缺陷少的表面的性能。上述精研磨工序例如可以是硅晶圆等半导体基板及其它基板的精研磨工序。面向上述用的研磨用组合物除了包含磨粒和水之外，出于研磨对象物表面的保护、润湿性提高等的目的而包含水溶性高分子的情况较多。其中作为通用的水溶性高分子可列举出羟乙基纤维素(HEC)。

然而，由于HEC源自作为天然物质的纤维素，因此与合成聚合物相比，化学结构、纯度的控制性有限制。例如，在市场上可容易获得的HEC的重均分子量(Mw)、分子量分布的范围受到限制。此处分子量分布是指Mw相对于数均分子量(Mn)的比。另外，由于HEC以天然物质作为原料，因此难以高度地降低可能成为产生表面缺陷的原因的异物、由聚合物结构的局部紊乱导致的微观的聚集等，这样的异物等的量、程度也容易出现差异。将来，预期对于研磨后的表面品位的要求会变得越来越严格，提供一种在不以HEC作为必须成分的组成中能有效降低表面缺陷的研磨用组合物是有益的。

鉴于上述情况，本发明的目的在于提供对表面缺陷的降低有效的研磨用组合物。相关的其它发明提供包含上述研磨用组合物的研磨用组合物套组。

用于解决问题的方案

作为在使用研磨用组合物进行研磨后的研磨面观察到的一种缺陷，已知有光点缺陷(LPD：Light Point Defects)和光点缺陷不可清除(LPD-N：Light Point Defect Non-cleanable)。LPD是指通常被称为微粒的异物。另一方面，LPD-N是指：通过研磨、清洗、干燥等的处理而无法消除的缺陷，是指主要基于研磨对象物本身的结构的表面缺陷。本发明人进行了深入研究，结果发现对LPD-N数的降低有效的研磨用组合物，完成了本发明。

根据该说明书所提供的研磨用组合物包含磨粒、水溶性高分子和碱性化合物。上述水溶性高分子含有满足以下的两个条件(1)和(2)的聚合物A。

(1)在一分子中包含乙烯醇单元和非乙烯醇单元。