[发明专利]具有非功能性柱体的垂直存储器装置在审
申请号: | 201780053809.2 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN109643719A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | J.赵;G.达马拉;D.A.戴科克;G.A.哈勒;S.S.S.韦贡塔;J.B.马托武;M.R.朴;P.R.莫克纳劳 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11565 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;杨美灵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柱体 固态存储器 非功能性 存储器 源极线 位线 垂直存储器 存储器单元 电隔离 毗邻 外围 关联 | ||
1.一种固态存储器部件,包含:
多条位线;
源极线;以及
多个非功能性存储器柱体,每个非功能性存储器柱体与所述多条位线和所述源极线之一或两者电隔离。
2.如权利要求1所述的固态存储器部件,还包含多个功能性存储器柱体,每个功能性存储器柱体电耦合到所述多条位线之一和所述源极线之一。
3.如权利要求2所述的固态存储器部件,其中所述多个功能性存储器柱体和所述多个非功能性存储器柱体均匀地跨所述固态存储器部件分布。
4.如权利要求2所述的固态存储器部件,其中所述多个功能性存储器柱体位于所述存储器部件的存储器阵列部分中,并且所述多个非功能性存储器柱体位于所述固态存储器部件的外围部分中。
5.如权利要求2所述的固态存储器部件,其中所述多个功能性存储器柱体和所述多个非功能性存储器柱体垂直地定向。
6.如权利要求2所述的固态存储器部件,其中存储器单元毗邻每个所述功能性存储器柱体和所述非功能性存储器柱体。
7.如权利要求6所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含电荷存储结构。
8.如权利要求7所述的固态存储器部件,其中所述电荷存储结构是浮栅。
9.如权利要求7所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含控制栅。
10.如权利要求6所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含:
毗邻所述功能性或非功能性存储器柱体的隧道电介质;
毗邻所述隧道电介质的电荷存储结构;
毗邻所述电荷存储结构的阻挡电介质;以及
毗邻所述阻挡电介质的控制栅。
11.如权利要求6所述的固态存储器部件,其中毗邻所述功能性存储器柱体的所述存储器单元的串被串联耦合。
12.如权利要求1所述的固态存储器部件,其中所述多个非功能性存储器柱体的至少一些位于所述固态存储器部件的外围部分中。
13.如权利要求1所述的固态存储器部件,其中存储器单元毗邻每个所述非功能性存储器柱体。
14.如权利要求13所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含电荷存储结构。
15.如权利要求14所述的固态存储器部件,其中所述电荷存储结构是浮栅。
16.如权利要求14所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含控制栅。
17.如权利要求13所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含:
毗邻所述非功能性存储器柱体的隧道电介质;
毗邻所述隧道电介质的电荷存储结构;
毗邻所述电荷存储结构的阻挡电介质;以及
毗邻所述阻挡电介质的控制栅。
18.如权利要求13所述的固态存储器部件,其中毗邻所述功能性存储器柱体的所述存储器单元的串被串联耦合。
19. 一种固态存储器部件,包含:
位于所述固态存储器部件的外围部分中的多个柱体;以及
毗邻每个所述柱体的存储器单元。
20.如权利要求19所述的固态存储器部件,其中每个存储器单元包含电荷存储结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780053809.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维存储器器件及其制造方法
- 下一篇:半导体存储元件、其他元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的