[发明专利]具有非功能性柱体的垂直存储器装置在审

专利信息
申请号: 201780053809.2 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN109643719A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: J.赵;G.达马拉;D.A.戴科克;G.A.哈勒;S.S.S.韦贡塔;J.B.马托武;M.R.朴;P.R.莫克纳劳 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11565
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;杨美灵
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 柱体 固态存储器 非功能性 存储器 源极线 位线 垂直存储器 存储器单元 电隔离 毗邻 外围 关联
【说明书】:

公开了固态存储器技术。在一个示例中,固态存储器部件可包括多条位线、源极线以及多个功能性(510)和非功能性(510')存储器柱体。每个非功能性存储器柱体(510')与多条位线和源极线之一或两者电隔离。在另一个示例中,固态存储器部件可包括位于固态存储器部件的外围部分(553)的多个柱体,以及毗邻每个柱体的存储器单元。还公开了关联的系统和方法。

技术领域

本文所述的实施例特别涉及计算机器存储器,更具体地说,涉及固态存储器装置。

背景技术

NAND闪速存储器装置是一种常见类型的闪速存储器装置,因布置基本存储器单元配置所用的逻辑形式而得名。通常,NAND闪速存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列的行中的每个存储器单元的控制栅被连接以形成存取线,例如字线。阵列的列包括源极到漏极,一对选择线(源极选择线和漏极选择线)之间串联连接在一起的存储器单元的串(通常称为NAND串)。

“列”表示共同耦合到局部数据线(例如局部位线)的存储器单元组。它不要求任何特定的定向或线性关系,而是指的是存储器单元与数据线之间的逻辑关系。源极选择线包括NAND串与源极选择线之间的每个相交处的源极选择栅,并且漏极选择线包括NAND串与漏极选择线之间的每个相交处的漏极选择栅。每个源极选择栅连接到源极线,而每个漏极选择栅连接到数据线,例如列位线。

增加存储器装置的密度的一种方法就是形成堆叠存储器阵列,例如,通常被称作三维(3D)存储器阵列。例如,一种类型的三维存储器阵列可包括堆叠存储器元件的柱体,例如,基本上垂直的NAND串。

附图说明

通过以下结合附图一起以示例的方式说明各种发明实施例的详细描述,发明特征和优点将变得显而易见;并且其中:

图1示出按照示例的固态存储器部件的一部分;

图2示出图1的固态存储器部件的存储器柱体和存储器单元的顶视图;

图3示出图1的固态存储器部件的存储器柱体和存储器单元的侧视图;

图4示出按照另一个示例的固态存储器部件的一部分;

图5A示出按照示例的固态存储器部件的一般布局;

图5B示出图5A的固态存储器部件的存储器区块的一般布局;

图6示出典型固态存储器部件的截面图;

图7示出按照示例的固态存储器部件的截面图;

图8A示出按照示例的柱体形成后的固态存储器部件的存储器阵列部分的顶视图;

图8B是比较柱体形成后的固态存储器部件的存储器阵列部分的图像;

图9是示例存储器装置的示意图;以及

图10是示例计算系统的示意图。

现在将参照所示的示例实施例,并且在本文中将使用特定语言对其进行描述。然而将理解,由此不打算对公开范围或特定发明实施例的限制。

具体实施方式

在公开和描述发明实施例之前,要理解,不打算对本文所公开的特定结构、过程步骤或材料的限制,而是还包括如相关领域的技术人员将会知道的其等效体。还应当理解,本文所采用的术语仅用于描述特定示例的目的而不是意在限制。不同附图中的相同附图标记表示相同元件。流程图和流程中提供的数字为澄清所示步骤和操作而提供,而不一定指示特定顺序或序列。除非另加定义,否则本文所使用的所有技术和科学术语具有与本公开所属领域的普通技术人员普遍理解的相同的含意。

如本书面描述所使用的单数形式“一(a、an)”和“该”包括复数提法的明确支持,除非上下文另有明确说明。因此,例如,提到“一层”包括多个这类层。

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