[发明专利]有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置有效
申请号: | 201780053900.4 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109690661B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 西村淳;原义仁;近间义雅;中田幸伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 具备 显示装置 | ||
1.一种有源矩阵基板,具有:显示区域,其包含多个像素区域;以及上述显示区域以外的非显示区域,
上述有源矩阵基板的特征在于,具备:
基板;
多个源极总线和多个栅极总线,其支撑于上述基板;
多个像素TFT,其支撑于上述基板,并且配置在上述多个像素区域中的每一个像素区域;
多个检查用TFT,其支撑于上述基板并且配置在上述非显示区域,上述多个检查用TFT分别连接到上述多个源极总线或上述多个栅极总线中的至少1个;
检查电路,其包含上述多个检查用TFT;
多个端子部,其用于将上述多个源极总线或上述多个栅极总线连接到安装在上述有源矩阵基板上的半导体芯片的端子;
第1绝缘层,其配置在上述显示区域和上述非显示区域,并且在上述显示区域中覆盖上述多个像素TFT;以及
第2绝缘层,其配置在上述第1绝缘层上,包含有机绝缘层,
上述多个检查用TFT的至少一部分配置在搭载上述半导体芯片的半导体芯片搭载区域内,
上述多个检查用TFT各自包含:半导体层;下部栅极电极,其隔着栅极绝缘层配置在上述半导体层的上述基板侧;上部栅极电极,其隔着包含上述第1绝缘层的绝缘层配置在上述半导体层的与上述基板相反的一侧;以及源极电极和漏极电极,其连接到上述半导体层,
上述检查电路还包含:第1检查用栅极配线,其电连接到上述多个检查用TFT的上述下部栅极电极;以及第2检查用栅极配线,其电连接到上述多个检查用TFT的上述上部栅极电极,
上述第2绝缘层具有1个或多个开口部,上述1个或多个开口部配置为在从上述基板的法线方向来看时与上述多个检查用TFT中的每一个检查用TFT中的上述半导体层的至少一部分重叠,
上述第2检查用栅极配线形成在上述第2绝缘层上和上述开口部内,上述第2检查用栅极配线中的位于上述开口部内的部分作为上述上部栅极电极发挥功能,
在上述有源矩阵基板的正常动作时,通过对上述多个检查用TFT的上述上部栅极电极施加负电压,抑制上述多个检查用TFT的特性变动。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,
上述多个像素TFT是底栅结构TFT,是与上述多个检查用TFT的上述半导体层使用同一半导体膜形成的。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在从上述基板的法线方向来看时,上述1个或多个开口部是设置为与包含上述多个检查用TFT的上述半导体层的区域重叠的1个开口部。
4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
上述第1检查用栅极配线包含上述下部栅极电极,上述第2检查用栅极配线包含上述上部栅极电极,
在从上述基板的法线方向来看时,上述多个检查用TFT在第1方向上排列,上述第1检查用栅极配线和上述第2检查用栅极配线以与上述多个检查用TFT的上述半导体层至少部分重叠的方式在上述第1方向上延伸。
5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在从上述基板的法线方向来看时,上述多个检查用TFT在第1方向上排列,上述第1检查用栅极配线和上述第2检查用栅极配线中的一方配线以与上述多个检查用TFT的上述半导体层至少部分重叠的方式在上述第1方向上延伸,上述第1检查用栅极配线和上述第2检查用栅极配线中的另一方配线包含:干部分,其在上述第1方向上延伸;以及多个突出部分,其以与上述多个检查用TFT的上述半导体层至少部分重叠的方式从上述干部分延伸。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板,
在上述多个检查用TFT中的每一个检查用TFT中,上述半导体层、上述源极电极以及上述漏极电极配置为在上述半导体层内沿着与上述第1方向正交的第2方向形成沟道。
7.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在上述显示区域中还具备:
下部透明电极,其设置在上述第1绝缘层之上;以及
上部透明电极,其隔着电介质层配置在上述下部透明电极上,
上述多个检查用TFT的上述上部栅极电极是与上述下部透明电极或上述上部透明电极由相同透明导电膜形成的。
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