[发明专利]有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置有效

专利信息
申请号: 201780053900.4 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN109690661B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 西村淳;原义仁;近间义雅;中田幸伸 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 具备 显示装置
【说明书】:

有源矩阵基板(1001)具备:多个检查用TFT(10Q),其配置在非显示区域(900);以及检查电路(200),其包含多个检查用TFT(10Q),多个检查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭载半导体芯片的半导体芯片搭载区域(R)内,多个检查用TFT(10Q)各自包含:半导体层;下部栅极电极(FG),其隔着栅极绝缘层配置在半导体层的基板侧;上部栅极电极(BG),其隔着包含第1绝缘层的绝缘层配置在半导体层的与基板相反的一侧;以及源极电极和漏极电极,其连接到半导体层。

技术领域

本发明涉及使用氧化物半导体形成的有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置。

背景技术

液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板具有:显示区域,其具有多个像素;以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor;以下称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件,以往广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。

作为TFT的活性层的材料,提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此,氧化物半导体TFT与非晶硅TFT 相比能以高速进行动作。

在非显示区域搭载有构成源极驱动器、栅极驱动器等驱动电路的半导体芯片(COG(Chip on Glass;玻璃上芯片)安装)。在本说明书中,将有源矩阵基板中的搭载半导体芯片的区域称为“半导体芯片搭载区域”。在非显示区域还配置有用于将半导体芯片的端子与显示区域的栅极总线或源极总线连接起来的多个端子部。这些端子部例如形成在半导体芯片搭载区域(即,配置在半导体芯片与基板之间)。

有时也会在非显示区域单片地(一体地)设置栅极驱动器、源极驱动器等驱动电路。将形成为单片的驱动电路称为“单片驱动器”。单片驱动器通常使用TFT来构成。最近,利用了使用氧化物半导体 TFT来制作单片驱动器的技术。从而,边框区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低得以实现。

近年来,在智能手机、不到10型的小型平板等对窄边框化要求较高的设备中,大多在非显示区域中形成有单片栅极驱动电路,源极驱动电路以COG方式安装。

在非显示区域还设置用于进行作为液晶显示装置(液晶显示面板)的故障检测方法的伪动态点亮检查的检查电路。从而,能检测有源矩阵基板上的配线的断线/短路等故障。

检查电路例如包含多个TFT(以下称为“检查用TFT”)。各检查用TFT连接到源极总线或栅极总线。在点亮检查时,通过将检查用 TFT设为导通状态,对源极总线或栅极总线供应检查用的信号。在点亮检查后,在液晶显示面板的正常动作时,检查用TFT维持在截止状态。

以往,检查用TFT配置在半导体芯片搭载区域与显示区域之间,或者夹着显示区域配置在其相反侧的非显示区域等。近年来,为了实现非显示区域的进一步窄小化,提出了将包含检查用TFT的检查电路配置在半导体芯片搭载区域内的构成(例如专利文献1和2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开2004-101863号公报

专利文献2:特开2014-153493号公报

发明内容

发明要解决的问题

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