[发明专利]光刻设备

说明书

一种光刻设备包括被被配置为投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统。光刻设备进一步包括加热设备，包括被配置为提供在曝光期间照射并加热衬底一部分的额外的辐射束的一个或多个辐射源。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2016年9月2日提交的EP申请16186948.2的优先权，且在此通过全文引用的方式将其并入本文。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备以及一种光刻方法。

背景技术

光刻设备是构造用于施加所希望图案至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可以例如将图案从图案化装置(例如掩模)投影至提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂) 层上。

由光刻设备所使用以将图案投影至衬底上的辐射的波长决定了可以形成在该衬底上特征的最小尺寸。使用作为具有在范围4-20nm 内波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于比传统光刻设备 (可以例如使用具有193nm波长的电磁辐射)在衬底上形成更小的特征。

用于将图案投影至衬底上的辐射束将大量热量输送至该衬底，且将引起衬底的局部加热。由加热引起的衬底局部膨胀将减小已投影图案套刻衬底上已存在图案的精确度。

发明内容

可以希望提供一种解决了以上所识别到问题或者与现有技术相关的一些其他问题的光刻设备。

根据本发明的第一方面待添加

附图说明

现在将仅借由示例的方式参考附图描述本发明的实施例，其中：

-图1示意性地描绘了根据本发明一个实施例的包括光刻设备的光刻系统；

-图2示意性地描绘了光刻设备的辐射源；

-图3A 、图3B 示意性地描绘了光刻设备的冷却设备；以及

-图4A 、图4B 示意性地描绘了根据本发明一个实施例的加热设备且示意性地描绘了光刻设备的其他元件。

具体实施方式

图1示出了根据本发明一个实施例的包括冷却设备的光刻系统。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置为产生极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL，被配置为支撑图案化装置MA(例如掩模)的支撑结构MT，投影系统PS，以及被配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置为在其入射在图案化装置MA之前调节辐射束B。投影系统被配置为将辐射束B (现在由掩模MA图案化)投影至衬底W上。衬底W可以包括之前已形成的图案。在该情形中，光刻设备将图案化的辐射束B与之前形成在衬底W上的图案对准。

均可以构造并设置辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS以使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供处于大气压力之下的气体(例如氢气)。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供处于远低于大气压力的少量气体(例如氢气)。

图1中所示的辐射源SO是可以称作激光产生等离子体(LPP) 源的类型。设置可以例如是CO₂激光器的激光器1用以经由激光束2 沉积能量至从燃料发射器3提供的燃料诸如锡(Sn)中。尽管在以下说明书中涉及锡，可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如以液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，被配置为沿着朝向等离子体形成区域4的轨道引导例如液滴形式的锡。激光束2入射在等离子体形成区域4处的锡上。激光能量沉积至锡中在等离子体形成区域4处形成等离子体7。在等离子体的离子的去激发和复合期间从等离子体7发出包括EUV辐射的辐射。