[发明专利]带有背侧本体接触部的深沟槽有源器件

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

栅极，包括多个栅极指状件；

本体，包括与所述多个栅极指状件互锁的多个半导体柱；

至少一个背侧接触部，被耦合到所述本体；以及

背侧金属化物，通过所述至少一个背侧接触部被耦合到所述本体。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个栅极指状件包括多晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括在所述多个栅极指状件和所述多个半导体柱之间的栅极电介质。

4.根据权利要求3所述的集成电路，还包括电容器，所述电容器包括：作为第一板的所述多个栅极指状件、作为第二板的所述多个半导体柱以及作为电容器电介质的所述栅极电介质。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述背侧接触部包括多个接触插塞，每个接触插塞被耦合在所述本体和所述背侧金属化物之间，所述背侧金属化物被直接耦合到所述多个接触插塞。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括直接位于所述背侧接触部和所述本体之间的背侧硅化物。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述背侧硅化物包括直接位于所述本体上的多个分立元件，或者所述背侧硅化物包括位于所述本体上的连续层。

8.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

所述本体的第一掺杂区域，靠近所述栅极的第一侧；以及

所述本体的第二掺杂区域，靠近与所述栅极的所述第一侧相对的第二侧。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述第一掺杂区域是源极区域，并且所述第二掺杂区域是漏极区域。

10.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

埋置氧化物(BOX)层；以及

支撑所述埋置氧化物层的背侧电介质层，其中所述本体延伸穿过所述埋置氧化物层并由所述背侧电介质层支撑，并且所述背侧接触部和所述背侧金属化物处于所述背侧电介质层中。

11.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

埋置氧化物(BOX)层；以及

支撑所述埋置氧化物层的背侧电介质层，其中所述本体延伸到所述埋置氧化物层中，并且所述背侧接触部延伸到所述埋置氧化物层中以耦合到所述本体和所述背侧金属化物。

12.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

埋置氧化物层，所述栅极的第一部分延伸穿过所述埋置氧化物层，所述第一部分耦合到所述多个栅极指状件；以及

背侧电介质层，所述背侧电介质层支撑所述埋置氧化物层。

13.根据权利要求1所述的集成电路，被集成到射频(RF)前端模块中，所述RF前端模块被结合到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

14.一种构造集成电路的方法，包括：

在隔离层内刻蚀半导体层，以形成包括多个半导体柱的本体；

在所述隔离层的前侧表面上以及在所述多个半导体柱的表面上沉积电介质材料层；

在所述电介质材料层上以及在分离所述多个半导体柱的多个沟槽中沉积半导体材料，以形成包括多个栅极指状件的栅极，所述多个栅极指状件与所述多个半导体柱互锁；

将处理衬底接合到在所述隔离层的所述前侧表面上的前侧电介质层；以及

在支撑所述隔离层的背侧表面的背侧电介质层中制造背侧金属化物，所述背侧金属化物通过至少一个背侧接触部而被耦合到所述本体。