[发明专利]蒸镀装置

说明书

本发明的技术目的为提供一种能够保护基板的表面免受粘在蒸镀用喷嘴上的污染物污染的蒸镀装置。为此，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质的本发明的蒸镀装置包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。

技术领域

本发明涉及利用线性蒸发源的蒸镀装置。

背景技术

通常，在半导体制造工艺中，在晶片表面形成由特定物质制成的薄膜或者在制造大型平板显示装置的过程中，将蒸镀装置用于在玻璃基板等的表面上形成所需物质的薄膜。

这种蒸镀装置包括：真空室；安装部，用于在真空室设置晶片或基板(以下，称为“基板”)；以及线性蒸发源，用于使薄膜形成用物质蒸发到基板表面上。

尤其，线性蒸发源包括：坩埚，用于盛放薄膜形成用物质；加热器，用于加热坩埚；以及多个蒸镀用喷嘴，线性排列，用于将加热的薄膜形成用物质喷射到基板的表面。

然而，传统的蒸镀装置存在粘在蒸镀用喷嘴的污染物被喷射或掉落并污染基板的表面的问题。

而且，存在因每个蒸镀用喷嘴的喷射量不同而导致蒸镀在基板表面上的薄膜形成用物质的蒸镀厚度产生偏差的问题。即，存在如下问题：在线性蒸发源中，以薄膜形成用物质的移动方向为基准，各个蒸镀用喷嘴中的相对位于后端侧的蒸镀用喷嘴的喷射量有可能相对较小，从而导致基板上的蒸镀厚度产生偏差。

并且，即使使用两个线性蒸发源来蒸镀两种不同的薄膜形成用物质，用于产生所需的蒸镀率的温度(以下，称为“所需蒸镀率产生温度”)也各不相同，而存在两种薄膜形成用物质蒸镀率产生偏差的问题。例如，当每个线性蒸发源的坩埚温度相同时，对于所需蒸镀率产生温度相对高的薄膜形成用物质，存在蒸镀率相对较低的问题，在通过提高线性蒸发源的坩埚温度来提高具有高所需蒸镀率产生温度的薄膜形成用物质的蒸镀率的情况下，存在线性蒸发源的热稳定性降低的问题。

发明内容

技术问题

本发明的目的为提供一种如下的蒸镀装置，即，可保护基板表面免受粘在蒸镀用喷嘴上的污染物污染。

本发明的再一目的为提供如下的蒸镀装置，即，可使蒸镀在基板表面的薄膜形成用物质的蒸镀厚度的偏差最小化。

本发明的另一目的为提供如下的蒸镀装置，即，上述蒸镀装置可同时蒸镀至少两种具有不同的用于产生所需的蒸镀率的温度(以下称为“所需蒸镀率温度”)的薄膜形成用物质，而且防止蒸镀率相对降低，同时可确保线性蒸发源的热稳定性。

本发明的还有一目的为提供如下的蒸镀装置，即，上述蒸镀装置能够使至少两种不同的薄膜形成用物质的蒸镀率比尽量在基板上的所有位置相同。

解决问题的方案

为了实现上述目的，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质的本发明实施例的蒸镀装置包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部以及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。

上述第一防污染部件可通过横穿上述通道区域来将上述通道区域部分为第一通道区域及第二通道区域。