[发明专利]用于光刻设备的流体处理结构有效
申请号: | 201780056049.0 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN109690413B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | P·范德艾登;C·M·诺普斯;T·W·波莱;F·L·寇肯斯;G·塔娜萨;R·H·M·考蒂;K·库依皮尔斯;H·S·布登贝格;G·L·加托比焦;E·范弗利特;N·坦凯特;M·J·H·弗雷肯;J·L·范埃尔沃;M·M·C·F·托因尼森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 设备 流体 处理 结构 | ||
1.一种流体处理结构,配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域,所述流体处理结构包括:
孔,形成在所述流体处理结构中,用作投影束通过所述浸没流体而通过所述流体处理结构的通道;
第一部分;和
第二部分;
其中,所述第一部分和所述第二部分中的至少一者限定一表面,所述表面适于从所述区域提取所述浸没流体;
其中,所述流体处理结构适于提供进入或离开所述流体处理结构的所述表面的流体流,并且其中,所述第一部分相对于所述第二部分的移动实现进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置的改变;并且
其中,所述第一部分和所述第二部分中的一者包括用于所述流体流从那里流过的至少一个通孔,并且所述第一部分和所述第二部分中的另一者包括用于所述流体流从那里流过的至少一个开口,所述至少一个通孔和至少一个开口在被对准时是流体连通的,所述移动允许所述至少一个开口与所述至少一个通孔中的一个对准,由此改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置,
其特征在于,所述开口由环形腔室限定,所述环形腔室定位在多个通孔的上方并且与通孔的组合体积相比所述环形腔室的体积相对更大。
2.如权利要求1所述的流体处理结构,其中,所述移动包括所述第一部分相对于所述第二部分的旋转移动。
3.如权利要求1所述的流体处理结构,其中,所述流体流是从所述表面中的至少一个出口开口离开的气体的流体流,所述至少一个出口开口是所述至少一个通孔中的出口开口。
4.如权利要求3所述的流体处理结构,其中,所述至少一个出口开口布置成使得所述流体流在平面中沿着一条线从所述表面流出,并且由于所述流体流的位置改变,所述流体流实现操纵浸没流体的液滴朝向所述孔。
5.如权利要求3所述的流体处理结构,还包括在所述表面中的用于提取所述浸没流体的至少一个入口开口,所述至少一个入口开口比所述至少一个出口开口更靠近所述孔。
6.如权利要求5所述的流体处理结构,其中,所述至少一个入口开口位于所述第一部分中,所述至少一个出口开口位于所述第二部分中,并且所述表面由所述第一部分和所述第二部分的基本上共面的表面限定。
7.如权利要求1所述的流体处理结构,其中,所述流体流是进入用于提取所述浸没液体的在所述表面中的至少一个入口开口的流体的流体流,所述至少一个入口开口是所述至少一个通孔中的入口开口。
8.如权利要求1所述的流体处理结构,其中,进入或离开所述表面的流体流在平面中于所述表面上形成一区域并且在所述表面上具有围绕所述孔的形状。
9.如权利要求2所述的流体处理结构,其中,进入或离开所述表面的流体流在平面中于所述表面上形成一区域并且在所述表面上具有围绕所述孔的形状。
10.如权利要求7所述的流体处理结构,其中,进入或离开所述表面的流体流在平面中于所述表面上形成一区域并且在所述表面上具有围绕所述孔的形状。
11.如权利要求8所述的流体处理结构,其中,所述形状相对于通过所述孔的投影束的轴线是非对称的。
12.如权利要求9所述的流体处理结构,其中,所述形状相对于通过所述孔的投影束的轴线是非对称的。
13.如权利要求10所述的流体处理结构,其中,所述形状相对于通过所述孔的投影束的轴线是非对称的。
14.如权利要求1、2、 7-13中任一项所述的流体处理结构,其中,所述第二部分限定所述表面,并且所述第一部分定位于所述第二部分的与所述表面相对的一侧上。
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