[发明专利]用于光刻设备的流体处理结构有效

专利信息
申请号: 201780056049.0 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN109690413B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: P·范德艾登;C·M·诺普斯;T·W·波莱;F·L·寇肯斯;G·塔娜萨;R·H·M·考蒂;K·库依皮尔斯;H·S·布登贝格;G·L·加托比焦;E·范弗利特;N·坦凯特;M·J·H·弗雷肯;J·L·范埃尔沃;M·M·C·F·托因尼森 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 设备 流体 处理 结构
【说明书】:

一种流体处理结构(12),其配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域,所述流体处理结构包括:孔(15),其形成在所述流体处理结构中,用作使投影束经由通过所述浸没流体而通过所述孔的通道;第一部分(100);以及第二部分(200);并且其中,所述第一部分和所述第二部分中的至少一者限定一表面(20),所述表面适于从所述区域提取所述浸没流体;并且其中,所述流体处理结构适于提供进入或离开所述流体处理结构的所述表面的流体流,并且其中,所述第一部分相对于所述第二部分的移动实现改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置,并且其中,所述第一部分和所述第二部分中的一者包括用于流体流流过的至少一个通孔(51、61),并且所述第一部分和所述第二部分中的另一者包括用于所述流体流流过的至少一个开口(55、65),所述至少一个通孔和至少一个开口在被对准时流体连通,所述移动允许所述至少一个开口与所述至少一个通孔中的不同通孔对准,由此改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年9月12日递交的EP申请16188325.1的优先权,该EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

发明是涉及一种流体处理结构和一种光刻设备。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下,图案形成装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进器,其中,通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每一个目标部分;以及所谓的扫描仪,其中,通过辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案,同时沿与该方向平行或反向平行地同步扫描衬底来照射每一个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

已经提出将光刻投影装置中的衬底浸没在具有相对高折射率的浸没液体(例如水)中,以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在实施例中,浸没液体是超纯水,尽管可以使用其它浸没液体。将参考液体来描述本发明的实施例。然而,其它流体可能是合适的,特别是湿润流体、不可压缩流体和/或折射率高于空气的折射率(期望高于水的折射率)的流体。特别期望的是除了气体之外的流体。其目的是实现较小特征的成像,这是因为曝光辐射在液体中将具有更短的波长。(液体的作用也可以被视为增加系统的有效数值孔(NA)并且增加焦深)。已经提出其它浸没液体,包括悬浮有固体颗粒(例如石英)的水,或者具有纳米颗粒悬浮物(例如,最大尺寸高达10nm的颗粒)的液体。悬浮颗粒可以具有或者可以不具有悬与浮有所述颗粒的液体的折射率相似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括烃,诸如芳族化合物、氟代烃和/或水溶液。

在浸没装置中,由流体处理结构处置浸没流体。在实施例中,流体处理结构可以供应浸没流体并且可以称作流体供应系统。在实施例中,流体处理结构可以至少部分地将浸没流体限制到一区域并且可以称作流体限制系统。在实施例中,流体处理结构可以提供对浸没流体的阻挡部并且由此称作阻挡构件。在实施例中,流体处理结构产生或使用流体流(例如气流),例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体。

然而,使用流体处理结构可能导致形成在衬底的顶部表面上的缺陷。该缺陷可能由在衬底在流体处理结构下面经过之后留下的浸没流体的液滴引起。衬底的表面上的缺陷可能导致衬底的表面上的误差,这可能降低良率。缺陷可以尤其意指水印,或者可以意指可能发生在衬底的表面上的其它缺陷。在支撑衬底或物体的支撑台上留下浸没液体也是值得考虑的,所述流体处理结构在该支撑台上经过。

发明内容

例如,期望提供一种减少浸没流体损耗的流体处理结构。

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