[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括：

含铝的第一半导体层；

含铝的第二半导体层；以及

含铝并且设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；

其中当初级离子轰击所述发光结构而从所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层溅射出包含铝的二次离子时，沿着所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层的厚度方向产生相应强度的包含铝的二次离子，

第一强度位置在所述发光结构的整个区域中展示最大强度，

第二强度位置为从所述第一强度位置沿着从所述第二半导体层至所述第一半导体层的方向延伸的区域中具有最大的峰值强度的位置，

第三强度位置在所述发光结构的整个区域中展示最小强度，

第四强度位置为从所述第二强度位置沿着从所述第二半导体层至所述第一半导体层的方向延伸的区域中具有最小强度的位置，

其中所述第二强度位置和所述第四强度位置之间的第一强度差与所述第一强度位置和所述第三强度位置之间的第二强度差的比率在1：1.5至1：2.5的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层设置在沿着所述厚度方向与所述第一强度位置分开的区域中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体层包括位于所述第一强度位置与所述第三强度位置之间的第一区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源层包括设置在所述第一强度位置与所述第二强度位置之间的第二区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体层的第二最短距离与第一最短距离的比率为1：1.25至1：100，所述第二最短距离是从第一表面到第二点的距离，所述第一最短距离是从所述第一表面到第一点的距离；

所述第一表面为所述第二半导体层的远离所述有源层的表面；

所述第一点是所述第二半导体层的铝成分与所述有源层的最靠近所述第二半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且

所述第二点是所述第二半导体层具有与所述铝成分相同的掺杂剂成分的点。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二最短距离与所述第一最短距离的所述比率在1：1.25至1：10的范围内。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

电子阻挡层，设置在所述有源层和所述第二半导体层之间，其中

第一差值与第二差值的比率的范围为1：1.2至1：10，所述第一差值为所述电子阻挡层的平均铝成分和所述第一点的铝成分之间的差值，所述第二差值为所述电子阻挡层的所述平均铝成分和所述第二点的铝成分之间的差值。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第二半导体层包括2-1导电半导体层和2-2导电半导体层，所述2-2导电半导体层设置在所述有源层和所述2-1导电半导体层之间；并且

所述第二半导体层包括2-3导电半导体层，所述2-3导电半导体层设置在所述有源层和所述2-2导电半导体层之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述2-1导电半导体层和所述2-2导电半导体层的铝成分随着远离所述有源层而减少；并且

所述2-1导电半导体层的铝减少的程度大于所述2-2导电半导体层的铝减少的程度。