[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

说明书

一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2：W1)1：1.25至1：100，分别地，第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点，第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装。

背景技术

包括诸如GaN和AlGaN之类的化合物的半导体器件具有诸如可调节的宽带隙能之类的许多优点并且因此可以广泛用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。

特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，使用III-V或II-VI族化合物半导体的发光器件或者诸如激光二极管之类的发光器件可以实现各种颜色的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外光，也可以通过使用荧光材料或组合颜色实现高效的白色光线。与诸如荧光灯、白炽灯之类的传统光源相比，这些发光器件也具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环保等优点。

另外，当使用III-V或II-VI族化合物半导体制造诸如光学检测器或太阳能电池之类的光接收器件时，由于器件材料的发展，由于各种波长范围的光吸收可以产生光电流。因而，可以使用从伽马射线到无线电波长范围的各种波长范围内的光。另外，光接收器件具有快速响应时间、安全、环保以及易于调整器件材料的优点，并且可以容易地用于功率控制、微波电路或通信模块。

因此，半导体器件已经广泛用于以下场合：光通信装置的传输模块；替代冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光，该冷阴极荧光灯(CCFL)用于形成液晶显示(LCD)器件的背光；白色发光二极管灯，用于替代荧光灯或白炽灯；车辆前灯；交通信号灯；以及用于检测气体或火灾的传感器。此外，半导体器件还可以广泛用于高频应用电路、其他功率控制器件以及甚至通信模块。

具体地，发出紫外线波长范围的光的发光器件由于其固化或消毒作用而可以用于固化、医疗和消毒用途。

近来，已经积极进行了有关紫外发光器件的研究，但是紫外发光器件难以垂直实现，并且在衬底分离工艺中的结晶度也降低。

发明内容

技术问题

实施例提供了一种垂直式紫外发光器件。

实施例还提供了一种具有增强的光输出功率的发光器件。

实施例要解决的问题不限于此，而是包括以下技术方案和通过实施例可理解的效果的目的。

解决方案

根据本发明的实施例的半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极。第二导电半导体层可以包括其上设置有第二电极的第一表面。第二导电半导体层的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率(W2：W1)可以为1：1.25至1：100，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离。第一点可以是这样一个点，在该点处，第二导电半导体层的铝成分与最靠近第二导电半导体层的有源层的阱层的铝成分相同。第二点可以是这样一个点，在该点处，第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分。

发明的有益效果

根据实施例，可以制造垂直式紫外发光器件。

还可以增强光输出功率。