[发明专利]玻璃基板及层叠基板

说明书

本发明的第一发明涉及一种玻璃基板，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0～0.1％，失透温度粘性为10^3.2dPa·s以上，30℃～220℃下的平均热膨胀系数α为7.80～9.00(ppm/℃)。本发明的第二发明涉及一种玻璃基板，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0～0.1％，光弹性常数C为10～26nm/cm/Mpa，并且该玻璃基板用于半导体封装用的支撑基板。

技术领域

本发明涉及玻璃基板及层叠基板。

背景技术

在半导体器件的领域中，器件的集成度增加，另一方面，正推进器件的小型化。与此相伴，对具有高集成度的器件的封装技术的需求正在提高。

近年来，在半导体封装的领域中，晶片级封装(WLP)或面板级封装(PLP)等技术备受关注(参照专利文献1等)。该技术是例如将硅芯片放置在玻璃基板上，利用密封树脂进行模塑，由此进行密封的技术。由于能够将端子配置于比硅芯片的面积大的面积上，因此，能够高效的布线，作为结果，能够提高每单位面积的集成度。另外，能够通过进行大面积化而降低成本。

一般而言，密封树脂的热膨胀率大于玻璃基板的热膨胀率，因此，玻璃基板和密封树脂的热膨胀率差大。因此，使用WLP技术进行封装时，产生如下问题：发生由该热膨胀率差引起的翘曲。为了解决这样的问题，以往采取了如下方法：在密封树脂中加入各种填料，使该密封树脂的热膨胀率与玻璃基板的热膨胀率一致而抑制在上述的封装工序中的翘曲。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-78113号公报

专利文献2：日本特开平8-333133号公报

发明内容

然而，如果在密封树脂中加入大量的填料，则产生如下问题：由于密封树脂的流动性降低，因此，密封树脂无法被填充至各个角落，由此可靠性降低。因此，为了不是在密封树脂加入填料来调整热膨胀系数而是使玻璃基板的热膨胀率与密封树脂的热膨胀率相匹配，要求有具有较大的热膨胀系数的玻璃基板。

另外，如上所述的WLP等包含硅芯片，因此，如果玻璃基板含有碱金属氧化物，则有产生如下各种问题的顾虑：例如在热处理工序等中，该碱金属氧化物成为离子而污染硅芯片，使配设在硅芯片上的LSI电路等短路等。因此，期望玻璃基板中的碱金属氧化物的含量尽可能少。

然而，具有高热膨胀系数的以往的玻璃含有大量的碱金属氧化物。在专利文献1中公开了20～200℃的温度范围的平均线热膨胀系数为50×10^-7～66×10^-7/℃的支撑玻璃基板，但含有5质量％以上的Na₂O或K₂O等碱金属氧化物。另外，在专利文献2中公开了0～300℃的温度范围的线热膨胀率为60～90×10^-7/℃的玻璃，但含有5质量％左右的碱金属氧化物。

另外，由于使用形态为薄板，因此，要求生产率良好地进行薄板的成型，但以往的无碱玻璃存在如下课题：失透温度高，成型为基板困难，块成型后需要进行切片·研磨等。

因此，本发明的第一发明的目的在于提供碱金属氧化物的含量尽可能少且热膨胀系数与以往相比充分大、生产率优异的玻璃基板及使用该玻璃基板的层叠基板。另外，本发明的第二发明的目的在于提供碱金属氧化物的含量尽可能少且适于半导体封装用的支撑基板的玻璃基板及使用该玻璃基板的层叠基板。

本发明人等发现通过使失透温度粘性和30℃～220℃下的平均热膨胀系数为特定范围，能够得到碱金属氧化物的含量尽可能少且热膨胀系数与以往相比充分大、生产率优异的玻璃基板，完成了第一发明。

另外，本发明人等发现通过使光弹性常数C为特定范围，能够得到碱金属氧化物的含量尽可能少且能够用作半导体封装用的支撑基板的玻璃基板，完成了第二发明。