[发明专利]集成电路的晶圆级封装中的铜沉积

权利要求书

1.一种电沉积组合物，其包含：

a)铜离子来源；

b)酸；

c)抑制剂，其中该抑制剂包含选自由以下所组成的群组的化合物：

1)烷氧化胺；

2)多醚化合物，其包含环氧丙烷(PO)重复单元与环氧乙烷(EO)重复单元的组合，该组合以1:9至9:1的PO:EO比例存在，且该多醚化合物键结含氮物种；和

3)聚亚烷二醇，其具有终端磺酸部分、及对经取代酚与该聚亚烷二醇的终端羟基进行缩合而形成的终端芳香族部分；

d)调平剂，其中该调平剂包含：

(i)季铵化联吡啶化合物，其中该季铵化联吡啶化合物包含具有N,N’-四烷基硫脲与中间体的反应产物的结构的化合物，该中间体是通过联吡啶与二官能基烷化剂的反应所制造的，其中该二官能基烷化剂选自由以下所组成的群组：1-氯-2-(2-氯乙氧基)乙烷、1,2-双(2-氯乙氧基)乙烷、1,3-二氯丙-2-酮、1,3-二氯丙-2-醇、1,2-二氯乙烷、1,3-二氯丙烷、1,4-二氯丁烷、1,5-二氯戊烷、1,6-二氯己烷、1,7-二氯庚烷、1,8-二氯辛烷、1,2-二(2-氯乙基)醚；或

(ii)季铵化聚(表卤醇)，其中该季铵化聚(表卤醇)包含n个对应于结构1N的重复单元及p个对应于结构1P的重复单元：

其中Q具有对应于可通过将聚(表卤醇)的侧接二卤甲基与选自由以下所组成的群组的叔胺反应而得到的结构：(i)NR^aR^bR^c，其中各R^a、R^b、与R^c独立地选自由经取代或未取代烷基、经取代或未取代脂环基、经取代或未取代芳烷基、经取代或未取代烯基、经取代或未取代炔基、经取代或未取代芳基、与经取代或未取代杂环基所组成的群组；(ii)经N-取代且视情况进一步经取代的杂脂环胺，其中N-取代基选自由经取代或未取代烷基、经取代或未取代脂环基、经取代或未取代芳烷基、经取代或未取代芳基、与经取代或未取代杂环基所组成的群组；及(iii)经取代或未取代的含氮杂芳基化合物；且

n为3至35的一个整数，p为大于0且最大为25的一个整数；X为卤取代基；且X^-为单价阴离子；及

e)加速剂。

2.根据权利要求1的组合物，其中n值为10至15。

3.根据权利要求1的组合物，其中Q选自由以下所组成的群组：

其中：(i)结构2B为N-取代杂环部分；(ii)结构2C为杂环部分；(iii)各R^a、R^b、R^c、与R^d独立地选自由经取代或未取代烷基、经取代或未取代烯基、经取代或未取代炔基、经取代或未取代芳烷基、经取代或未取代脂环基、经取代或未取代芳基、与经取代或未取代杂环基所组成的群组；及(iv)各R^e、R^f、R^g、R^h、与R^j独立地选自由氢、经取代或未取代烷基、经取代或未取代烯基、经取代或未取代炔基、经取代或未取代芳烷基、经取代或未取代脂环基、经取代或未取代芳基、与经取代或未取代杂环基所组成的群组。

4.根据权利要求1的组合物，其中该季铵化聚(表卤醇)包含额外的重复单元，其包含至少一种环氧烷的残基，或

其中该季铵化聚(表卤醇)包含重复单元，其为环氧乙烷残基，或

其中该季铵化聚(表卤醇)包含重复单元，其为环氧丙烷残基。

5.根据权利要求4的组合物，其中该季铵化聚(表卤醇)中的环氧烷重复单元总和为q，且比例q/n+p+q不大于0.05，或为0.05至0.50。

6.根据权利要求1的组合物，其中该聚(表卤醇)重复单元由表卤醇残基与季铵化表卤醇残基所组成：

7.根据权利要求1的组合物，其中该季铵化聚(表卤醇)中的季铵化聚(表卤醇)重复单元及非季铵化表卤醇重复单元以嵌段、交替、或无规形态排列。