[发明专利]用于防止阴离子交换的卤化物钙钛矿纳米颗粒的加壳

权利要求书

1.一种核/壳半导体纳米颗粒，所述核/壳半导体纳米颗粒包含：

包含卤化物钙钛矿半导体的核；和

围绕所述核并且包含BaTiO₃、SrTiO₃、BiFeO₃、LaNiO₃、CaTiO₃、PbTiO₃或LaYbO₃的壳，

其中所述壳不含卤化物钙钛矿。

2.权利要求1所述的核/壳半导体纳米颗粒，其中所述核包含AMX₃形式的卤化物钙钛矿半导体，其中A是有机铵阳离子或碱金属阳离子，M是二价金属阳离子，并且X是卤素阴离子。

3.权利要求2所述的核/壳半导体纳米颗粒，其中所述有机铵阳离子是脒阳离子。

4.权利要求2所述的核/壳半导体纳米颗粒，其中A选自由下列各项组成的组：CH₃NH₃⁺、PhC₂H₄NH₃⁺、C₆H₁₁CH₂NH₃⁺、1-金刚烷基甲基铵、CH(NH₂)₂⁺、Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺或Cs⁺。

5.权利要求2所述的核/壳半导体纳米颗粒，其中M是Mg²⁺、Mn²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Pb²⁺、Sn²⁺、Zn²⁺、Ge²⁺、Eu²⁺、Cu²⁺或Cd²⁺。

6.权利要求2所述的核/壳半导体纳米颗粒，其中X是F^-、Cl^-、Br^-或I^-，或其组合。

7.一种组合物，所述组合物包含：

第一核/壳半导体纳米颗粒群体，每个第一核/壳半导体纳米颗粒包含：

包含第一卤化物钙钛矿半导体的第一核；和

围绕所述核并且包含不是卤化物钙钛矿的半导体材料并且不含卤化物钙钛矿的第一壳，

与所述第一核/壳半导体纳米颗粒群体不同的第二核/壳半导体纳米颗粒群体，每个第二核/壳半导体纳米颗粒包含：

包含第二卤化物钙钛矿半导体的第二核；

围绕所述核并且包含不是卤化物钙钛矿的半导体材料并且不含卤化物钙钛矿的第二壳，和

基质，

其中所述第一壳和所述第二壳中的至少一个包含BaTiO₃、SrTiO₃、BiFeO₃、LaNiO₃、CaTiO₃、PbTiO₃或LaYbO₃。

8.权利要求7所述的组合物，其中所述基质包括树脂。

9.权利要求7所述的组合物，其中当被在第三波长发射的光源激发时，所述第一核/壳半导体纳米颗粒群体发射第一波长的光，并且所述第二核/壳半导体纳米颗粒群体发射第二波长的光。

10.权利要求9所述的组合物，其中所述第一波长在电磁谱的绿色区域内，所述第二波长在电磁谱的红色区域内，并且所述第三波长在电磁谱的紫外或蓝色区域内。