[发明专利]用于防止阴离子交换的卤化物钙钛矿纳米颗粒的加壳

说明书

核/壳半导体纳米颗粒结构包括：包含卤化物钙钛矿半导体的核，和包含不是卤化物钙钛矿的半导体材料(并且基本上不含卤化物钙钛矿)的壳。卤化物钙钛矿半导体核可以是AMX₃形式，其中：A是有机铵，比如CH₃NH₃⁺、(C₈H₁₇)₂(CH₃NH₃)⁺、PhC₂H₄NH₃⁺、C₆H₁₁CH₂NH₃⁺或1‑金刚烷基甲基铵，脒比如CH(NH₂)₂⁺，或碱金属阳离子，比如Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺或Cs⁺；M是二价金属阳离子，比如Mg²⁺、Mn²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Pb²⁺、Sn²⁺、Zn²⁺、Ge²⁺、Eu²⁺、Cu²⁺或Cd²⁺；并且X是卤素阴离子(F^‑、Cl^‑、Br^‑、I^‑)或卤素阴离子的组合。

相关申请的交叉引用：

本申请要求2016年9月29日提交的美国临时申请序列号62/401,485和2016年10月28日提交的美国临时申请序列号62/414,110的权益，这些美国临时申请的内容通过引用以其整体并入本文。

关于联邦资助研究或开发的声明：不适用

发明背景

1.发明领域

本发明通常涉及半导体纳米颗粒(或“量子点”)。更具体地，本发明涉及卤化物钙钛矿纳米晶体。

2.包括按照37CFR 1.97和1.98的规定公开的信息的相关技术的描述

钙钛矿是表现出与钙钛氧化物(CaTiO₃)相同的晶体结构的材料，其显示出多种已经开发用于技术应用的令人关注的性质。通常，钙钛矿表现为ABX₃形式，其中A和B是具有实质上不同的尺寸的阳离子，并且X是与A和B两者键合的阴离子。