[发明专利]摄像元件、焦点检测装置及电子相机在审
申请号: | 201780059750.8 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN109791935A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 中山智史;安藤良次 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/232;H04N5/347;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孙明轩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换部 射入 微透镜 成像光学系统 摄像元件 反射部 像素 反射 焦点检测装置 电子相机 配置 | ||
1.一种摄像元件,其特征在于,配置有:
第一像素,其具有供通过成像光学系统的第一光束及第二光束射入的微透镜、供透过所述微透镜的所述第一光束及所述第二光束射入的第一光电转换部、将透过所述第一光电转换部的所述第一光束朝向所述第一光电转换部反射的反射部、和供透过所述第一光电转换部的所述第二光束射入的第二光电转换部;和
第二像素,其具有供通过所述成像光学系统的第一光束及第二光束射入的微透镜、供透过所述微透镜的所述第一光束及所述第二光束射入的第一光电转换部、将透过所述第一光电转换部的所述第二光束朝向所述第一光电转换部反射的反射部、和供透过所述第一光电转换部的所述第一光束射入的第二光电转换部。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一光束及所述第二光束是从所述成像光学系统的光瞳的第一区域及第二区域分别通过的光束,
针对所述第一像素及所述第二像素,所述反射部的位置与所述成像光学系统的光瞳的位置是关于所述微透镜而共轭的位置关系。
3.根据权利要求1或2所述的摄像元件,其特征在于,具备:
第一蓄积部,其蓄积由所述第一光电转换部转换的电荷;
第二蓄积部,其蓄积由所述第二光电转换部转换的电荷;和
连接部,其将所述第一蓄积部与所述第二蓄积部连接。
4.根据权利要求3所述的摄像元件,其特征在于,具备:
第一传输部,其将由所述第一光电转换部转换的电荷向所述第一蓄积部传输;
第二传输部,其将由所述第二光电转换部转换的电荷向所述第二蓄积部传输;和
控制部,其控制所述第一传输部及所述第二传输部来进行第一控制和第二控制,该第一控制是使基于由所述第一光电转换部转换的电荷所得的信号和基于由所述第二光电转换部转换的电荷所得的信号依次输出,该第二控制是使如下信号输出,该信号是基于将由所述第一光电转换部转换的电荷与由所述第二光电转换部转换的电荷加法运算的电荷所得的信号。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的摄像元件,其特征在于,具备:
设有所述第一光电转换部的第一基板;和
层叠于所述第一基板上且设有所述第二光电转换部的第二基板,
所述反射部设于所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间。
6.一种焦点检测装置,其特征在于,具备:
权利要求1~5中任一项所述的摄像元件;和
焦点检测部,其基于所述第一像素的第一光电转换部的信号和所述第二像素的第一光电转换部的信号进行所述成像光学系统的焦点检测。
7.一种焦点检测装置,其特征在于,具备:
权利要求1~5中任一项所述的摄像元件;和
焦点检测部,其基于所述第一像素的第二光电转换部的信号和所述第二像素的第二光电转换部的信号进行所述成像光学系统的焦点检测。
8.一种焦点检测装置,其特征在于,具备:
权利要求1~5中任一项所述的摄像元件;和
焦点检测部,其基于所述第一像素的第一光电转换部的信号及所述第二像素的第二光电转换部的信号、和所述第一像素的第二光电转换部的信号及所述第二像素的第一光电转换部的信号进行所述成像光学系统的焦点检测。
9.一种电子相机,其特征在于,具备:
权利要求1~5中任一项所述的摄像元件;和
修正部,其基于来自所述第二光电转换部的信号对来自所述第一光电转换部的信号进行修正。
10.一种电子相机,其特征在于,具备:
权利要求1~5中任一项所述的摄像元件;和
图像生成部,其基于所述摄像元件的来自所述第一光电转换部的信号和来自所述第二光电转换部的信号生成图像数据。
11.根据权利要求10所述的电子相机,其特征在于,所述图像生成部生成将所述摄像元件的来自所述第一光电转换部的信号与来自所述第二光电转换部的信号加法运算的加法信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的