[发明专利]摄像元件及调焦装置在审
申请号: | 201780060112.8 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN109791936A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 加藤周太郎;高木彻;中山智史;濑尾崇志;安藤良次 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/28;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 光电转换部 反射部 射入 输出 方向交叉 光电转换 摄像元件 电荷 光路 调焦装置 方向排列 方向相反 反射 | ||
1.一种摄像元件,沿第1方向排列有多个像素,其特征在于,
所述多个像素中包含的第1像素及第2像素分别包括:光电转换部,所述光电转换部对射入的光进行光电转换而生成电荷;反射部,所述反射部将从所述光电转换部透过后的光向所述光电转换部反射;以及输出部,所述输出部输出通过所述光电转换部进行光电转换而生成的电荷,
所述第1像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉的面中,与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比设置在所述第1方向侧的区域,
所述第2像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉的面中,与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比设置在所述第1方向的相反方向侧的区域,
所述第1像素的所述输出部的至少一部分设置在供从所述第1像素的所述光电转换部透过后的光向所述第1像素的所述反射部射入的光路中,
所述第2像素的所述输出部的至少一部分设置在供从所述第2像素的所述光电转换部透过后的光向所述第2像素的所述反射部射入的光路中。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉的面中,设置在以与通过所述第1像素的所述光电转换部的中心的线平行的线分割形成的区域中的、所述第1方向侧的区域,
所述第2像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉的面中,设置在以与通过所述第2像素的所述光电转换部的中心的线平行的线分割形成的区域中的、所述第1方向的相反方向侧的区域。
3.根据权利要求2所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,设置在以与通过所述第1像素的所述光电转换部的中心的线平行的线分割形成的区域中的、所述第1方向侧的区域,
所述第2像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,设置在以与通过所述第2像素的所述光电转换部的中心的线平行的线分割形成的区域中的、所述第1方向的相反方向侧的区域。
4.根据权利要求2或3所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,设置在以与正交于所述面且通过所述第1像素的所述光电转换部的中心的线正交的线分割形成的区域中的、所述第1方向侧的区域,
所述第2像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,设置在以与正交于所述面且通过所述第2像素的所述光电转换部的中心的线正交的线分割形成的区域中的、所述第1方向的相反方向侧的区域。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素的所述输出部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比,设置在与所述第1方向相交叉的方向侧,
所述第2像素的所述输出部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比,设置在与所述第1方向相交叉的方向侧。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素的所述输出部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比,设置在与所述第1方向相交叉的第3方向侧,
所述第2像素的所述输出部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比,设置在所述第3方向的相反方向侧。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素的所述输出部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比,设置在所述第1方向侧,
所述第2像素的所述输出部在与所述光射入的方向相交叉且与所述第1方向平行的面中,与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比,设置在所述第1方向的相反方向侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的