[发明专利]摄像元件及调焦装置在审
申请号: | 201780060112.8 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN109791936A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 加藤周太郎;高木彻;中山智史;濑尾崇志;安藤良次 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/28;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 光电转换部 反射部 射入 输出 方向交叉 光电转换 摄像元件 电荷 光路 调焦装置 方向排列 方向相反 反射 | ||
将多个像素沿第1方向排列的摄像元件,所述多个像素所包含的第1像素及第2像素分别包括:光电转换部,将射入光光电转换生成电荷;反射部,将透过所述光电转换部的光向所述光电转换部反射;输出部,输出由所述光电转换部光电转换而生成的电荷,所述第1像素的所述反射部在与所述光射入的方向交叉的面中,与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比设于所述第1方向侧的区域,所述第2像素的所述反射部在与所述光射入的方向交叉的面中,与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比设于与所述第1方向相反方向侧的区域,所述第1像素的所述输出部的至少一部分设置在从所述第1像素的所述光电转换部透过的光向所述第1像素的所述反射部射入的光路中,所述第2像素的所述输出部的至少一部分设置在从所述第2像素的所述光电转换部透过的光向所述第2像素的所述反射部射入的光路中。
技术领域
本发明涉及摄像元件及调焦装置。
背景技术
已知一种在光电转换部之下设置反射层并通过该反射层使从光电转换部透过的光向光电转换部反射的摄像装置(参照专利文献1)。通过这样的光电转换部得到的信号没有被用于焦点检测。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-177704号公报
发明内容
根据第一方案,在沿第1方向排列有多个像素的摄像元件中,所述多个像素中包含的第1像素及第2像素分别包括:光电转换部,其对射入的光进行光电转换而生成电荷;反射部,其将从所述光电转换部透过后的光向所述光电转换部反射;以及输出部,其输出通过所述光电转换部进行光电转换而生成的电荷,所述第1像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉的面中,与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比设置在所述第1方向侧的区域,所述第2像素的所述反射部在与所述光射入的方向相交叉的面中,与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比设置在与所述第1方向相反方向侧的区域,所述第1像素的所述输出部的至少一部分设置在从所述第1像素的所述光电转换部透过后的光向所述第1像素的所述反射部射入的光路中,所述第2像素的所述输出部的至少一部分设置在从所述第2像素的所述光电转换部透过后的光向所述第2像素的所述反射部射入的光路中。
根据第二方案,摄像元件包括:光电转换部,其对射入的光进行光电转换而生成电荷;反射部,其将从所述光电转换部透过后的光向所述光电转换部反射;以及输出部,其输出通过所述光电转换部进行光电转换而生成的电荷,所述输出部的至少一部分设置在从所述光电转换部透过后的光向所述反射部射入的光路中。
附图说明
图1是表示相机的要部构成的图。
图2是例示聚焦区域的图。
图3是将摄像元件的像素排列的一部分放大了的图。
图4是将像素放大了的剖视图。
图5是说明射入焦点检测像素的光束的图。
图6是表示像素的电路构成的图。
图7是示意性地表示像素的电路布局的俯视图。
图8是示意性地表示像素的电路布局的俯视图。
图9是将像素放大了的剖视图。
图10是表示像素的电路构成的图。
图11是示意性地表示像素的电路布局的俯视图。
图12是表示像素的电路构成的图。
图13是示意性地表示像素的电路布局的俯视图。
图14是示意性地表示像素的电路布局的俯视图。
图15是示意性地表示像素的电路布局及彩色滤光片的配置的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的