[发明专利]3D半导体器件及结构

权利要求书

1.一种3D器件，其特征在于，所述器件包括：

第一层，所述第一层包括第一位单元阵列，所述第一位单元阵列包括三个独立的第一行；

第二层，所述第二层包括第二位单元阵列，所述第二位单元阵列包括三个独立的第二行；

其中所述第二层覆盖所述第一层；以及

至少三个垂直位线，所述至少三个垂直位线中的每个连接至相应的三个水平第一位线和三个水平第二位线，

其中所述三个水平第一位线包括所述第一位单元阵列的控件，

其中所述三个水平第二位线包括所述第二位单元阵列的控件，并且

其中所述三个垂直位线中的每个可用于控制所述三个独立的第一行中的不同一行，或控制所述三个独立的第二行中的不同一行。

2.根据权利要求1所述的3D器件，

其特征在于，所述三个水平第一位线的间隔小于200nm。

3.根据权利要求1所述的3D器件，

其特征在于，所述三个水平第一位线中的每个包括传输晶体管，以控制对所述第一位单元阵列的相应行的接入。

4.根据权利要求1所述的3D器件，

其特征在于，所述第一层通过熔融粘合或通过混合粘合与所述第二层粘合。

5.根据权利要求1所述的3D器件，其特征在于，所述3D器件还包括：

第三层，所述第三层覆盖所述第二层，

其中所述第三层包括至少三个位线解码器，所述至少三个位线解码器中的一个用于所述三个垂直位线中的每个。

6.一种3D器件，其特征在于，所述器件包括：

第一层，所述第一层包括第一位单元阵列，所述第一位单元阵列包括三个独立的第一行；

第二层，所述第二层包括第二位单元阵列，所述第二位单元阵列包括三个独立的第二行；

其中所述第二层覆盖所述第一层；以及

至少三个垂直字线，所述至少三个垂直字线中的每个连接至相应的三个水平第一字线和三个水平第二字线，

其中所述三个水平第一字线包括所述第一位单元阵列的控件，

其中所述三个水平第二字线包括所述第二位单元阵列的控件，并且

其中所述三个垂直字线中的每个可用于控制所述三个独立的第一行中的不同一行，或控制所述三个独立的第二行中的不同一行。

7.一种3D器件，其特征在于，所述器件包括：

第一层单元阵列，所述单元阵列包括第一单元和第二单元，所述第一单元包括第一位单元阵列，所述第二单元包括第二位单元阵列，

其中所述第一位单元阵列包括第一和第二行位单元，所述第一和第二行位单元分别由第一和第二位线控制，并且

其中所述第二位单元阵列包括第三和第四行位单元，所述第三和第四行位单元分别由第三和第四位线控制；以及

第一晶体管，所述第一晶体管控制所述第一位线与所述第三位线的连接；以及

第二晶体管，所述第二晶体管控制所述第二位线与所述第四位线的连接。

8.根据权利要求7所述的3D器件，

其中所述第一位线和所述第二位线的间隔小于200nm。

9.根据权利要求7所述的3D器件，其特征在于，所述3D器件还包括：

第三晶体管，所述第三晶体管控制所述第一位线与所述第三位线的连接。

10.一种3D器件，其特征在于，所述器件包括：

第一层单元阵列，所述单元阵列包括第一单元和第二单元，所述第一单元包括第一位单元阵列，所述第二单元包括第二位单元阵列，

其中所述第一位单元阵列包括第一和第二行位单元，所述第一和第二行位单元分别由第一和第二字线控制，并且

其中所述第二位单元阵列包括第三和第四行位单元，所述第三和第四行位单元分别由第三和第四字线控制；以及

第一晶体管，所述第一晶体管控制所述第一字线与所述第三字线的连接；以及

第二晶体管，所述第二晶体管控制所述第二字线与所述第四字线的连接。