[发明专利]第一保护膜形成用片

权利要求书

1.一种第一保护膜形成用片，其具备第一基材、形成于所述第一基材上的缓冲层以及形成于所述缓冲层上的固化性树脂膜，

通过将所述固化性树脂膜贴附于半导体晶圆的具有凸块的表面并使其固化，从而用于在所述表面上形成第一保护膜，

以温度90℃、频率1Hz的条件，使直径为8mm、厚度为1mm的所述缓冲层的试验片发生应变，进行测定所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时，所述缓冲层的试验片的应变为300％时的所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量为Gb300’，

以温度90℃、频率1Hz的条件，使直径为8mm、厚度为1mm的所述固化性树脂膜的试验片发生应变，进行测定所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时，所述固化性树脂膜的试验片的应变为300％时的所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量为Gc300’，

所述Gb300’与所述Gc300’满足以下关系，

式(w1):Gb300’≥Gc300’。

2.根据权利要求1所述的第一保护膜形成用片，其中，所述缓冲层的试验片的应变为200％时的所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb200’与所述固化性树脂膜的试验片的应变为200％时的所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc200’满足以下关系，

式(w2):Gb200’≥Gc200’。

3.根据权利要求1或2所述的第一保护膜形成用片，其中，所述缓冲层的试验片的应变为400％时的所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb400’与所述固化性树脂膜的试验片的应变为400％时的所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc400’满足以下关系，

式(w3):Gb400’≥Gc400’。

4.根据权利要求1或2所述的第一保护膜形成用片，其中，通过所述应变分布测量而得到的所述缓冲层的试验片的应变与所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb’的函数中，存在所述剪切弹性模量Gb’不恒定的区域，所述剪切弹性模量Gb’不恒定的区域是指，所述剪切弹性模量Gb’的最小值小于所述剪切弹性模量Gb’的最大值的90％的区域，所述缓冲层的试验片的应变为300％时的所述剪切弹性模量Gb’包含在所述区域中。

5.根据权利要求1或2所述的第一保护膜形成用片，其中，通过所述应变分布测量而得到的所述固化性树脂膜的试验片的应变与所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc’的函数中，存在所述剪切弹性模量Gc’不恒定的区域，所述剪切弹性模量Gc’不恒定的区域是指，所述剪切弹性模量Gc’的最小值小于所述剪切弹性模量Gc’的最大值的90％的区域，所述固化性树脂膜的试验片的应变为300％时的所述剪切弹性模量Gc’包含在所述区域中。

6.根据权利要求1或2所述的第一保护膜形成用片，其中，所述固化性树脂膜含有树脂成分，

所述固化性树脂膜的填充材料的含量为45质量％以下，

所述树脂成分的重均分子量为30000以下。