[发明专利]第一保护膜形成用片

说明书

本发明提供一种第一保护膜形成用片，其具备第一基材、形成于第一基材上的缓冲层以及形成于缓冲层上的固化性树脂膜，将缓冲层及固化性树脂膜分别制作成直径为8mm、厚度为1mm的试验片，以90℃、1Hz的条件使这些试验片发生应变，进行测定这些试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时，缓冲层的试验片的应变为300％时的缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb300’与固化性树脂膜的试验片的应变为300％时的固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc300’满足Gb300’≥Gc300’的关系。

技术领域

本发明涉及一种第一保护膜形成用片。

本申请基于2016年10月5日于日本提出申请的日本特愿2016-197523号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

至今为止，将用于MPU或门阵列等的多引脚的LSI封装安装于印刷布线基板时，采用倒装芯片(Flip chip)安装方法，其中，作为半导体芯片，使用在其连接焊盘上形成有由共晶焊料、高温焊料、金等形成的凸状电极(以下,在本说明书中称作“凸块”)的半导体芯片，通过所谓的倒装方式，使这些凸块与芯片搭载用基板上的相对应的端子部相对、接触，进行熔融/扩散连接。

使用该安装方法的半导体芯片例如通过对在电路面上形成有凸块的半导体晶圆的、与电路面(换言之凸块形成面)为相反侧的面进行磨削、或切割、单片化而获得。在这样的获得半导体芯片的过程中，通常，以保护半导体晶圆的凸块形成面及凸块为目的，将固化性树脂膜贴附于凸块形成面，使该膜固化，在凸块形成面上形成保护膜。

另一方面，期望半导体装置具有更高的功能，半导体芯片的尺寸有扩大的倾向。然而，尺寸扩大的半导体芯片因在安装于基板的状态下发生的翘曲，凸块易于变形，特别是位于半导体芯片的端部或其附近的凸块易于产生裂纹。也期望形成于凸块形成面的保护膜抑制这样的凸块的破损。

一边参照图6一边对半导体晶圆的凸块形成面的保护膜的形成方法进行说明。

保护膜的形成中使用图6的(a)所示的保护膜形成用片8。保护膜形成用片8通过在基材81上依次层叠缓冲层83及固化性树脂膜82而成。缓冲层83对施加于缓冲层83和与其毗邻的层的力具有缓冲作用。

首先，以使保护膜形成用片8的固化性树脂膜82与半导体晶圆9的凸块形成面9a相对的方式配置保护膜形成用片8。

接着，将保护膜形成用片8压接在半导体晶圆9上，如图6的(b)所示，将保护膜形成用片8的固化性树脂膜82贴合于半导体晶圆9的凸块形成面9a。边加热固化性树脂膜82边进行此时的固化性树脂膜82的贴合。由此，固化性树脂膜82密合于半导体晶圆9的凸块形成面9a与凸块91的表面91a，但若凸块91贯穿固化性树脂膜82，则在凸块91的表面91a的一部分上也密合有缓冲层83。

这样的固化性树脂膜82的贴合后，根据需要，进一步磨削半导体晶圆9的与凸块形成面9a为相反侧的面(背面)9b后，在半导体晶圆9的背面9b上另外贴附用于保护该背面9b的保护膜形成用片(省略图示)。

接着，如图6的(c)所示，从固化性树脂膜82上剥离基材81及缓冲层83。

接着，使固化性树脂膜82固化，如图6的(d)所示形成保护膜82’。

这样的保护膜的形成方法中，凸块91的上部910必须成为贯穿保护膜82’并突出的状态。为此，在剥离基材81及缓冲层83的阶段，形成如上所述地，凸块91的上部910贯穿固化性树脂膜82并突出，凸块91的上部910上不残留固化性树脂膜82的状态是重要的。与此相反，将在凸块91的上部910残留有固化性树脂膜82的状态的一个例子示于图7。此处，示出了凸块91的表面91a的整个面被固化性树脂膜82包覆的例子，但是这是固化性树脂膜82的残留状态的一个例子，例如，有时在凸块91的上部910中，表面91a的一部分没有被固化性树脂膜82包覆而露出。