[发明专利]多通道流量比例控制器与处理腔室

说明书

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器，气体注入插入件包含第一部分与第二部分。第一部分包含第一多个通道，且第二部分包含第二多个通道。装置进一步包含多个气体线，多个气体线将第一与第二多个流量控制器连接至第一与第二多个通道。多个气体线的一或多个气体线的每一个连接至第一多个通道的通道以及第二多个通道的通道。

背景

领域

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室，且更特定而言，涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。

现有技术的描述

对广泛的各种应用处理半导体基板，包含集成器件与微型器件的生产。一种基板处理方法包含沉积材料(诸如介电性材料或半导体材料)于基板的上表面上。通过使处理气体平行于放置在支撑件上的基板的表面流动，并使处理气体热解离而将来自气体的材料沉积至基板表面上，可在横向流动腔室中沉积材料。然而，沉积在基板表面上的材料的厚度时常不均匀，且合金或掺杂成分时常不均匀，且因此对最终生产器件的效能产生负面的影响。

因此需要改良腔室，以沉积厚度均匀且合金或掺杂成分均匀的材料。

发明内容

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室，且更特定而言，涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器，气体注入插入件包含第一部分与第二部分。第一部分包含第一多个通道，且第二部分包含第二多个通道。装置进一步包含多个气体线，多个气体线将第一与第二多个流量控制器连接至第一与第二多个通道，其中多个气体线的一或多个气体线的每一个连接至第一多个通道的通道以及第二多个通道的通道。

在另一实施方式中，一种装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器与第一流量控制器，第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器与第二流量控制器，气体注入插入件包含第一部分与第二部分。第一部分包含第一多个通道与第一内侧通道，且第二部分包含第二多个通道与第二内侧通道。装置进一步包含多个气体线，多个气体线将第一与第二多个流量控制器连接至第一与第二多个通道，第一气体线将第一流量控制器连接至第一内侧通道，且第二气体线将第二流量控制器连接至第二内侧通道。

在另一实施方式中，一种装置包含腔室，腔室包含上圆顶、下圆顶、设置在上圆顶与下圆顶之间的基座环以及位于基座环内的气体注入插入件。气体注入插入件包含第一部分与第二部分。第一部分包含第一多个通道，且第二部分包含第二多个通道。装置进一步包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及多个气体线，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器，多个气体线将第一与第二多个流量控制器连接至第一与第二多个通道。多个气体线的一或多个气体线的每一个连接至第一多个通道的通道以及第二多个通道的通道。

附图简要说明

图1为根据本文所述实施方式的腔室的示意侧截面图。

图2为根据本文所述实施方式的可用于图1腔室中的衬垫组件的透视图。

图3为根据本文所述实施方式的可用于图1腔室中的衬垫组件与一或多个流量比例控制器的透视图。

图4示意图示说明根据本文所述实施方式的可用于图1腔室中的一或多个气体注入插入件与一或多个流量比例控制器之间的连结。