[发明专利]激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法有效
申请号: | 201780061352.X | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN109804457B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 清水良;佐藤亮介;下地辉昭 | 申请(专利权)人: | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;G09F9/00;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/677;H01L29/786 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 半导体器件 制造 方法 操作方法 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,包括:
一激光振荡器,用于生成一激光束;
一传送台,用于将待由所述激光束照射的一工件浮起并传送所述工件;以及
一测量仪器,用于测量所述激光束的一光束轮廓,其中,
所述传送台包括与所述工件相对设置的一传送表面以及位于所述传送表面相反一侧的一下表面,
所述测量仪器位于所述传送台的所述下表面的下方;
所述传送台包括位于所述传送台一部分之内的一可卸除部分,所述可卸除部分构造为可从所述传送台卸除,
通过将所述可卸除部分从所述传送台卸除,在所述传送台内形成一开孔,所述开孔自所述传送表面延伸至所述下表面,以及
所述测量仪器用于经所述开孔,对所述激光束的所述光束轮廓进行测量。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,所述可卸除部分位于所述激光束的一光轴上。
3.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,所述测量仪器可移动至所述开孔的位置。
4.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,所述测量仪器用于对所述激光束在所述激光束的焦点处的所述光束轮廓进行测量。
5.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,所述开孔和所述测量仪器位于所述激光束的一光轴上。
6.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述激光束的平面形状为具有一长轴和一短轴的矩形,以及
所述测量仪器用于沿所述长轴移动。
7.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,通过自所述传送台向所述工件喷射气体而将所述工件浮起。
8.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,所述工件包括一非晶半导体膜,通过在所述非晶半导体膜上施加所述激光束而形成一多晶半导体膜。
9.一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
(a)将包括一非晶半导体膜的一工件浮起于一传送台上方,并传送所述工件;
(b)在所述非晶半导体膜上施加一激光束,以形成一多晶半导体膜;
(c)卸除所述传送台的一可卸除部分,以在所述传送台的一部分内形成一开孔;以及
(d)经所述开孔,测量所述激光束的一光束轮廓。
10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法,其特征在于,在步骤(c)和步骤(d)之间还包括,将一测量仪器移动至所述开孔的位置处的步骤,所述测量仪器用于测量所述激光束的所述光束轮廓。
11.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述开孔以及用于测量所述激光束的所述光束轮廓的一测量仪器位于所述激光束的一光轴上。
12.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法,其特征在于,在步骤(a)中,通过自所述传送台向所述工件喷射气体而将所述工件浮起。
13.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述工件包括玻璃基片。
14.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述多晶半导体膜形成一薄膜晶体管。
15.根据权利要求14所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管用于控制一液晶显示装置或一有机EL显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造