[发明专利]激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法有效
申请号: | 201780061352.X | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN109804457B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 清水良;佐藤亮介;下地辉昭 | 申请(专利权)人: | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;G09F9/00;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/677;H01L29/786 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 半导体器件 制造 方法 操作方法 | ||
一种实施方式的激光退火装置(1)包括用于生成激光束(L)的激光振荡器(4),用于将待由所述激光束(L)照射的工件(W)浮起并传送该工件的浮起型传送台(3),以及用于测量所述激光束(L)的光束轮廓的光束轮廓测量仪(7)。所述浮起型传送台(3)包括与所述工件(W)相对的传送表面(3a)以及与位于该传送表面(3a)相反一侧的下表面(3b)。所述光束轮廓测量仪(7)位于所述浮起型传送台(3)下表面(3b)下方。所述浮起型传送台(3)包括处于其一部分之内的可卸除部分(12)。通过将所述可卸除部分(12)从所述浮起型传送台(3)卸除,形成开孔(S),该开孔(3)自所述传送表面(3a)延伸至所述下表面(3b)。所述光束轮廓测量仪(7)用于经所述开孔(S),对所述激光束(L)的光束轮廓进行测量。
技术领域
本发明涉及一种激光照射装置、半导体器件制造方法以及所述激光照射装置的操作方法。举例而言,本发明涉及对激光束的光束轮廓进行的测量。
背景技术
专利文献1公开一种激光退火装置,该装置对处于浮起状态的处理对象进行传送,并在该处理对象上施加激光束。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:公开号为WO2015/174347的国际专利申请
发明内容
本发明解决的技术问题
然而,专利文献1只字未提对激光束的光束轮廓进行测量。
根据本说明书的描述以及附图,其他待解决的问题以及新颖特征将变得容易理解。
解决问题的技术手段
为了解决上述问题,一种激光照射装置构造为使得传送台的一部分可以卸除。
本发明的有益效果
根据上述构造,可通过卸除传送台的一部分后形成的开孔,对激光束的光束轮廓进行测量。
附图说明
图1为第一实施方式激光退火装置的侧视截面图。
图2为第一实施方式激光退火装置平面图。
图3为第一实施方式激光退火装置平面图。
图4为第一实施方式制造方法流程图。
图5为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图6为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图7为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图8为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图9为激光束的光束轮廓测量结果一例的示意图。
图10为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图11为第二实施方式激光退火装置侧视截面图。
图12为第三实施方式激光退火装置侧视截面图。
图13为半导体器件制造方法步骤截面图。
图14为有机EL显示装置构造的简化截面图。
图15为比较例1激光退火装置的侧视截面图。
图16为比较例2激光退火装置的侧视截面图。
附图标记列表
1 激光退火装置
2 处理腔室
3 浮起型传送台
4 激光振荡器
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造