[发明专利]设置在基板处理设备中的基板放置部在审
申请号: | 201780061456.0 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN109791902A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 康豪哲;黄喆周 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/324 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 李艳华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热线 内部区域 基板放置部 基板处理设备 外部 彼此平行 外部区域 基座边缘 包围 | ||
基板放置部的实施例涉及一种设置在基板处理设备中的基板放置部。基板放置部被分成多个内部区域和外部区域,内部区域具有内部加热线和外部加热线,外部区域置于基座边缘、包围内部区域且包括外部加热线,其中在至少部分区域中,内部加热线设置在相同内部区域中且具有第一间隔,设置在不同内部区域中的相应内部加热线被设置为具有在内部加热线彼此平行的部分中的第二间隔,内部加热线和外部加热线被设置为具有在内部加热线和外部加热线彼此平行的部分中的第三间隔,第一间隔可小于第二间隔。
技术领域
实施例涉及设置在基板处理设备中的基座,其改善了整体温度的均匀性,能单独调整周边区域的温度,且能经由调整基板拐角区域的温度调整完成的基板产品的器件特性。
背景技术
这一部分中描述的公开内容仅仅提供与实施例相关的背景信息,而不构成现有技术。
一般,通过在基板上执行多个半导体工艺,半导体存储元件、液晶显示器件、有机发光器件等被制造成具有所需形状的结构叠层。
这种半导体制造工艺例如包括在基板上沉积预定薄膜的工艺、暴露薄膜所选区域的光刻工艺和从薄膜去除所选区域的蚀刻工艺。在基板处理设备中执行用于制造半导体的基板的处理,基板处理设备包括给相应工艺产生最佳环境的工艺腔室。
在工艺腔室内部,提供待处理的基板和其上放置基板的基座,且将含有原材料的工艺气体喷射到基板上。通过包含在工艺气体中的原材料,例如在基板上执行沉积工艺或者蚀刻工艺。
同时,基座可被加热以处理基板,由于可能发生不均匀加热,因此需要改进基座。
发明内容
因此,实施例涉及设置在基板处理设备中的基座,其提高了整体温度的均匀性,能单独调整周边区域的温度,且能通过调整基板拐角区域的温度调整完成的基板产品的器件特性。
通过实施例实现的技术目的不限于上述技术目的,且本领域技术人员根据以下描述能清楚理解其它未提及的技术目的。
一个实施例提供了一种设置在基板处理设备中的基座,其中基座被分成多个内部区域和外部区域,每一个内部区域具有内部加热线和外部加热线,外部区域被提供在基座边缘以包围内部区域且具有外部加热线,其中内部加热线的至少一些部分被以第一距离设置在相同内部区域中,其中设置在不同内部区域中的相应内部加热线的平行部分被以第二距离设置,其中内部加热线和外部加热线的平行部分被以第三距离设置,其中第一距离小于第二距离。
另一实施例提供了一种设置在基板处理设备中的基座,其中基座被分成多个内部区域和外部区域,每一个内部区域具有内部加热线和外部加热线,外部区域被提供在基座边缘以包围内部区域且具有外部加热线,其中内部加热线的至少一些部分被以第一距离设置在相同内部区域中,其中设置在不同内部区域中的相应内部加热线的平行部分被以第二距离设置,其中内部加热线和外部加热线的平行部分被以第三距离设置,其中第一距离等于第三距离或者小于第三距离。
再一个实施例提供一种设置在基板处理设备中的基座,其中基座被分成多个内部区域和外部区域,每一个内部区域具有内部加热线和外部加热线,外部区域被提供在基座边缘以包围内部区域且具有外部加热线,其中内部加热线的至少一些部分被以第一距离设置在相同内部区域中,其中设置在不同内部区域中的相应内部加热线的平行部分被以第二距离设置,其中内部加热线和外部加热线的平行部分被以第三距离设置,其中第二距离等于第三距离或者大于第三距离。
在实施例中,基座的整个区域被保持在均匀温度或者其中仅具有非常轻微的温度变化,这改善了整个基座的温度均匀性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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