[发明专利]导电膜及其制备方法有效
申请号: | 201780061482.3 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN109803819B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 权泰均;尹泳植;朴文洙 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | B32B5/16 | 分类号: | B32B5/16;B32B15/20;B32B15/02;H01B1/02;B32B15/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵丹;梁笑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种导电膜,包含:含有聚合物的连续相;和复数个形成在所述连续相中并限定为被两亲性化合物围绕的独立相,
其中所述独立相包含导电颗粒和驱动溶剂,
其中所述导电膜通过包括如下步骤的方法来制备:
将包含具有固化基团的化合物的第一组合物与包含所述导电颗粒和所述驱动溶剂的第二组合物混合以提供乳化液,所述乳化液具有由所述第二组合物形成的液滴,其中所述驱动溶剂与所述具有固化基团的化合物不混溶,并且其中所述乳化液还包含所述两亲性化合物;
将所述乳化液施加在导电基底上并使由所述第一组合物形成的连续相固化,
其中通过将100重量份的所述驱动溶剂和0.05重量份至10重量份的所述导电颗粒混合来提供所述第二组合物。
2.根据权利要求1所述的导电膜,其中所述导电膜包括下导电基底和设置在所述下导电基底上的中间层,并且所述中间层包含所述连续相和所述独立相。
3.根据权利要求2所述的导电膜,还包括面向所述下导电基底的上导电基底,其中所述中间层设置在所述上导电基底与所述下导电基底之间。
4.根据权利要求1所述的导电膜,其中所述聚合物为具有可固化官能团的化合物的固化产物。
5.根据权利要求4所述的导电膜,其中所述可固化官能团为丙烯酸酯基或环氧基。
6.根据权利要求3所述的导电膜,其中所述上导电基底和所述下导电基底各自包含透明导电金属氧化物,并且所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡、In2O3、氧化铟镓、氟掺杂的氧化锡、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、锑掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化锌、铌掺杂的氧化钛、ZnO或氧化铯钨中的任一者。
7.根据权利要求3所述的导电膜,其中所述上导电基底和所述下导电基底各自为金属网,所述金属网包含选自银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、铂(Pt)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)或其合金的金属组分。
8.根据权利要求3所述的导电膜,其中所述上导电基底和所述下导电基底各自为其中金属层介于两个金属氧化物层之间的氧化物/金属/氧化物电极。
9.根据权利要求8所述的导电膜,其中所述金属氧化物层包含选自Sb、Ba、Ga、Ge、Hf、In、La、Ma、Se、Si、Ta、Ti、V、Y、Zn和Zr的一种或更多种金属氧化物。
10.根据权利要求8所述的导电膜,其中所述金属层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、铂(Pt)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)或镍(Ni)。
11.根据权利要求1所述的导电膜,其中所述导电颗粒为具有负电荷或正电荷的带电颗粒,并且所述带电颗粒选自炭黑、氧化铁、铬铜或苯胺黑。
12.根据权利要求1所述的导电膜,其中所述独立相还包含驱动溶剂,并且所述导电颗粒能够在所述独立相中移动。
13.根据权利要求1所述的导电膜,其中通过相对于100重量份的所述第一组合物将10重量份至60重量份的所述第二组合物和0.05重量份至10重量份的所述两亲性化合物混合来形成所述乳化液。
14.根据权利要求1所述的导电膜,其中包含在所述第一组合物中的所述化合物包含丙烯酸酯基或环氧基。
15.根据权利要求1所述的导电膜,其中所述第一组合物还包含自由基引发剂或光引发剂。
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