[发明专利]导电膜及其制备方法有效
申请号: | 201780061482.3 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN109803819B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 权泰均;尹泳植;朴文洙 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | B32B5/16 | 分类号: | B32B5/16;B32B15/20;B32B15/02;H01B1/02;B32B15/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵丹;梁笑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 及其 制备 方法 | ||
本申请涉及导电膜及用于制备其的方法。本申请可以简化生产过程并降低生产成本,因为可以限制可驱动颗粒而不需要经受单独的屏障形成过程。
技术领域
本申请要求基于2016年11月10日提交的韩国专利申请第10-2016-0149211号的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及导电膜及其制备方法。
背景技术
当电驱动单元包含带电颗粒或液晶时,使用屏障将带电颗粒或液晶限制在单元内的某个空间中。这样的屏障通过使设置在基底上的聚合物层图案化来形成,并且通常使用光刻、光致抗蚀剂或模具印刷等来进行图案化。然而,如上用于形成屏障的工艺存在使生产过程复杂化或使生产成本增加以及在工艺期间对电极造成损坏的问题。
发明内容
技术问题
本申请的一个目的是提供包含液晶或带电颗粒而不形成任何屏障的导电膜。
本申请的另一个目的是提供其中简化生产过程并降低生产成本的导电膜。
本申请的这些和其他目的都可以通过本申请解决,以下详细地描述本申请。
技术方案
在与本申请相关的一个实例中,本申请涉及导电膜。导电膜可以包括在设置成面向彼此的导电基底之间的中间层。导电基底可以为电极基础层,并且中间层可以包含连续相和独立相。
在一个实例中,导电基底可以为包含透明导电金属氧化物的电极。作为透明导电金属氧化物,例如,可以使用ITO(氧化铟锡)、In2O3(氧化铟)、IGO(氧化铟镓)、FTO(氟掺杂的氧化锡)、AZO(铝掺杂的氧化锌)、GZO(镓掺杂的氧化锌)、ATO(锑掺杂的氧化锡)、IZO(铟掺杂的氧化锌)、NTO(铌掺杂的氧化钛)、ZnO(氧化锌)或CTO(氧化铯钨)。
在另一个实例中,导电基底可以为金属网电极。作为用于形成金属网的金属材料,例如,可以使用银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、铂(Pt)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)或其合金。
在另一个实例中,导电基底可以为OMO(氧化物/金属/氧化物)电极。OMO(氧化物/金属/氧化物)电极可以具有金属层介于两个金属氧化物层之间的形式。对于包括在OMO(氧化物/金属/氧化物)电极中的金属氧化物层,例如,可以使用选自Sb、Ba、Ga、Ge、Hf、In、La、Ma、Se、Si、Ta、Se、Ti、V、Y、Zn和Zr的一种或更多种金属氧化物。此外,作为介于金属氧化物层之间的金属层的形成组分,可以没有特别限制地使用银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、铂(Pt)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)或镍(Ni)。
在一个实例中,导电膜可以包括复数个导电基底。在这种情况下,中间层可以设置在复数个导电基底中的任意两个导电基底之间,并且根据与中间层的位置关系,导电基底可以被称为上导电基底或下导电基底。
在一个实例中,导电基底可以为包含上述电极材料中任一者的电极基础层和相对于可见光的透射率为约50%至90%的透光基础层的层合体。此时,透光基础层可以层合在透光基础层的一侧上以位于导电膜的外侧上。在本申请中,可见光可以意指在例如380nm至780nm的波长范围内的光。
可用的透光基础层的种类没有特别限制,例如可以使用透明玻璃或聚合物树脂。更具体地,可以使用聚酯膜例如PC(聚碳酸酯)、PEN(聚(萘二甲酸乙二醇酯))或PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯)),丙烯酸类膜例如PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯)),或者聚烯烃膜例如PE(聚乙烯)或PP(聚丙烯)等,但不限于此。
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