[发明专利]液晶单元的制造方法和液晶单元在审

专利信息
申请号: 201780062071.6 申请日: 2017-10-02
公开(公告)号: CN109844626A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 片山崇;三宅敢;平井明;品田庆 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;G02F1/133;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22;H01Q21/06
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;侯剑英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电介质基板 薄膜 液晶单元 基板 带电极 薄膜形成工序 取向限制力 缝隙电极 贴片电极 聚合物 制造 表面形成薄膜 液晶分子取向 光反应性 电连接 官能基 光照射 偏振轴 取向膜 正交的 支撑 照射 覆盖 赋予 表现
【权利要求书】:

1.一种液晶单元的制造方法,具备:

薄膜形成工序,在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜,上述一对带电极的基板包括:TFT基板,其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极;以及缝隙基板,其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极,在该薄膜形成工序中,上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成;以及

光照射工序,向上述薄膜照射包含p偏振光的光,得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜,

上述液晶单元的制造方法的特征在于,

上述薄膜包含聚合物,该聚合物具有光反应性官能基,沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。

2.根据权利要求1所述的液晶单元的制造方法,

上述薄膜通过使上述聚合物的上述光反应性官能基异构化而表现出上述取向限制力。

3.根据权利要求2所述的液晶单元的制造方法,

上述薄膜通过使异构化后的上述聚合物的上述光反应性官能基二聚化而表现出上述取向限制力。

4.根据权利要求1所述的液晶单元的制造方法,

上述薄膜通过使上述聚合物的上述光反应性官能基发生光裂解而表现出上述取向限制力。

5.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的液晶单元的制造方法,

上述薄膜具有肉桂酸酯基作为上述聚合物的上述光反应性官能基。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的液晶单元的制造方法,

上述薄膜具有偶氮苯基作为上述聚合物的上述光反应性官能基。

7.根据权利要求1或权利要求4所述的液晶单元的制造方法,

上述薄膜具有环丁烷二酰亚胺结构作为上述聚合物的上述光反应性官能基。

8.根据权利要求1至权利要求7中的任意一项所述的液晶单元的制造方法,

上述贴片电极和上述缝隙电极包括金属或者合金。

9.一种液晶单元,其特征在于,具备:

在至少一方基板的表面具有通过权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的液晶单元的制造方法得到的取向膜的一对上述TFT基板和上述缝隙基板;以及

液晶层,其介于上述TFT基板与上述缝隙基板之间,上述TFT基板与上述缝隙基板为了使上述缝隙与上述贴片电极对应配置,而以上述贴片电极侧和上述缝隙电极侧相对的形式配置。

10.根据权利要求9所述的液晶单元,

上述液晶层中包含的液晶分子含有异硫氰酸酯基。

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