[发明专利]压电振动器件

说明书

本发明提供一种压电振动器件。作为压电振动器件的晶体振荡器(102)具有形成有第一激励电极(221)和第二激励电极(222)的晶体振动片(2)、将晶体振动片(2)的第一激励电极(221)覆盖的第一密封构件(3)、及将晶体振动片(2)的第二激励电极(222)覆盖的第二密封构件(4)，第一密封构件(3)与晶体振动片(2)相接合；第二密封构件(4)与晶体振动片(2)相接合，形成将晶体振动片(2)的振动部(22)气密密封的内部空间(13)。内部空间(13)内配置有未与第一激励电极(221)及第二激励电极(222)电连接而与固定电位，例如GND电位连接的第一屏蔽电极(35)及第二屏蔽电极(44)。基于该结构，能抑制由电容耦合引起的特性变动。

技术领域

本发明涉及一种压电振动器件。

背景技术

近年，各种电子设备朝着工作频率高频化、封装体小型化(特别是低矮化)方向发展。因此，随着高频化及封装体小型化，要求压电振动器件(例如，晶体谐振器、晶体振荡器等)也能应对高频化及封装体小型化。

这种压电振动器件中，其壳体由近似长方体的封装体构成。该封装体包括，例如由玻璃或石英晶体构成的第一密封构件及第二密封构件、和例如由石英晶体构成并在两个主面上形成有激励电极的压电振动片，第一密封构件与第二密封构件间通过晶体振动片而层叠接合。并且，配置在封装体内部(内部空间)的压电振动片的振动部(激励电极)被气密密封(例如，专利文献1)。以下，将这种压电振动器件的层叠形态称为三明治结构。

另外，压电振动器件中，若封装体内部的激励电极及内部布线与位于封装体外侧的基板安装端子等之间发生电容耦合，则受基板安装端子的电位变化影响，频率及其它特性会产生变动。现有技术结构的压电振动器件中，通过在封装体的叠层间配置屏蔽电极、在封装体内部配置IC芯片、或对封装体盖使用金属板而构成屏蔽结构，来抑制上述特性变动(例如，专利文献2、专利文献3)。在此，现有技术结构的压电振动器件是指，在陶瓷构成的封装体壳体内部封入晶体谐振元件的结构，即，陶瓷封装体器件。

三明治结构的压电振动器件中，由于封装体较薄，所以容易发生电容耦合。因此，三明治结构的压电振动器件与现有技术结构的压电振动器件一样，采取屏蔽对策较为重要。然而，若与现有技术结构的压电振动器件一样设置屏蔽电极，则会出现以下问题。

首先，与现有技术的陶瓷封装体器件不同，三明治结构的压电振动器件没有封装体盖，因而，不可能通过对封装体盖使用金属板来构成屏蔽结构。其次，若在封装体的叠层间配置屏蔽电极，则封装体的叠层数会增加，从而使三明治结构失去薄型化这一优点。

另外，屏蔽电极基本都与接地电位连接。若用这种接地的屏蔽电极等覆盖，屏蔽电极中电位不会发生变化，因而能防止上述电位变化所引起的压电振动器件的特性变动。然而，若因屏蔽电极与激励电极之间发生电容耦合而使激励电极的寄生电容增加，则压电振动器件的频率可变范围会减小，从而使频率调节难以进行。

【专利文献1】：日本特开2010－252051号公报

【专利文献2】：日本特开2000－134058号公报

【专利文献3】：日本特开2012－90202号公报

发明内容

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种适合于三明治结构的压电振动器件的屏蔽结构。