[发明专利]基于缺陷与设计属性的缺陷检视取样和标准化有效
申请号: | 201780062550.8 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN109844916B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 杨宝文 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 缺陷 设计 属性 检视 取样 标准化 | ||
1.一种系统,其包括:
缺陷检视系统,其中所述缺陷检视系统包含:
载台,其经配置以固持晶片;及
图像产生系统,其经配置以产生所述晶片的图像;其中所述图像产生系统包括电子束源、宽带等离子体源、激光源或电灯中的至少一个;及
控制器,其与所述缺陷检视系统电子通信,其中所述控制器包含:处理器;电子数据存储单元,其与所述处理器电子通信;及通信端口,其与所述处理器及所述电子数据存储单元电子通信,其中所述控制器经配置以:使用决策树基于缺陷属性及设计属性将多个缺陷装到多个箱中;
将一或多个类别码中的一者指派给所述箱中的每一者中的所述缺陷的至少一些以产生经分类缺陷,其中所述类别码中的每一者表示不同缺陷类型,且其中在所述一或多个类别码被应用后剩余未经分类缺陷;及
使用所述未经分类缺陷对所述箱中的每一者执行标准化再分类,其中根据包括所述未经分类缺陷的所述箱中的所述经分类缺陷被指派的所述一或多个类别码的每个量的比率,通过随机指派所述一或多个类别码中的一个到所述未经分类缺陷中的每一者,使得所述箱中的未经分类缺陷中的每一者被指派它的相应箱的所述一或多个类别码中的一者。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述图像产生系统包含所述宽带等离子体源。
3.根据权利要求1所述的系统,其中在所述标准化再分类后,所述箱中的一者包含所述类别码中的两者,且其中所述控制器经进一步配置以:
确定在所述标准化再分类后,所述箱中的一者包含所述类别码中的两者;
使用次决策树基于次缺陷属性及次设计属性将具有所述类别码中的两者的所述箱中的所述缺陷装到多个次箱中;
将一或多个次类别码中的一者指派给所述次箱中的每一者中的所述缺陷的至少一些以在所述次箱中产生经分类缺陷,其中所述次类别码中的每一者表示不同缺陷类型,及
其中在所述一或多个次类别码被应用后,在所述次箱中的至少一者中剩余未经分类缺陷,及使用所述次箱中的未经分类缺陷对所述次箱中的每一者执行标准化再分类,其中根据包括未经分类缺陷的所述次箱中的所述经分类缺陷被指派的所述一或多个次类别码的每个量的比率,通过随机指派所述一或多个次类别码中的一个到所述次箱中的未经分类缺陷中的每一者,使得所述次箱中的未经分类缺陷中的每一者被指派它的相应箱的所述一或多个次类别码中的一者。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述缺陷属性包含从图块图像处理算法提取的属性、检测器光学属性、检测器配方属性、晶片级签名属性、区带属性、关注区域信息、度量属性、制造工艺条件、制造工艺设备及用户定义属性中的一或多者,且其中所述设计属性包含基于设计的类别、基于设计的分组、图案分组、热点分组、设计临界性指数、图案复杂度指数及受关注区中的一或多者。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器经配置以在装箱后,按比例分布每个箱中的所述缺陷的数量。
6.一种方法,其包括:
使用控制器,使用决策树基于缺陷属性及设计属性将来自半导体晶片的多个缺陷装到多个箱中,其中所述控制器包含:处理器;电子数据存储单元,其与所述处理器电子通信;及通信端口,其与所述处理器及所述电子数据存储单元电子通信;
使用所述控制器,将一或多个类别码中的一者指派给所述箱中的每一者中的所述缺陷的至少一些以产生经分类缺陷,其中所述类别码中的每一者表示不同缺陷类型,及
其中在所述一或多个类别码被应用后剩余未经分类缺陷;及
使用所述控制器,通过所述未经分类缺陷对所述箱中的每一者执行标准化再分类,其中根据包括所述未经分类缺陷的所述箱中的所述经分类缺陷被指派的所述一或多个类别码的每个量的比率,通过随机指派所述一或多个类别码中的一个到所述未经分类缺陷中的每一者,使得所述箱中的未经分类缺陷中的每一者被指派它的相应箱的所述一或多个类别码中的一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造