[发明专利]基于缺陷与设计属性的缺陷检视取样和标准化有效
申请号: | 201780062550.8 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN109844916B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 杨宝文 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 缺陷 设计 属性 检视 取样 标准化 | ||
本发明涉及一种用于分类缺陷的决策树及标准化再分类。缺陷检视取样及标准化可用于精确柏拉图排序及缺陷来源分析。缺陷检视系统(例如宽带等离子体工具)及控制器可用于使用所述决策树基于缺陷属性及设计属性将缺陷装箱。将类别码指派给每个箱中的所述缺陷的至少一些。标准化再分类将类别码指派给箱中的任何未经分类缺陷。如果在标准化再分类后,任一个箱具有超过一个类别码,那么可使用额外决策树。
本申请案主张2016年10月14日申请且指定为美国申请案第62/408,232号的临时专利申请案的优先权,所述申请案的揭示内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及缺陷检测和分类。
背景技术
晶片检测系统通过检测在制造工艺期间出现的缺陷而帮助半导体制造商增大且维持集成电路(IC)芯片良率。检测系统的一个目的在于监测制造工艺是否满足规范。如果制造工艺在既定规范的范围外,那么检测系统指示问题及/或问题的来源,半导体制造商接着可解决所述问题及/或所述问题的来源。
半导体制造业的改革使得对良率管理及特定言之度量及检测系统的要求更高。临界尺寸正在缩小而晶片大小正在增大。经济性正在驱动半导体制造业缩短达成高良率、高价值生产的时间。因此,最小化从检测到良率问题到解决良率问题的总时间确定半导体制造商的投资报酬。
虽然更多地强调良率管理,但对半导体晶片的缺陷检测可为复杂且费时的。半导体制造商需要改进的技术来以更快速且更可靠的方式检测缺陷。
检视取样可涉及对来自晶片的缺陷进行取样且将其发送到检视系统。一旦将经对缺陷进行取样分类,便可使用标准化来估计所有缺陷的缺陷类型的分布。标准化是当给定数据集内的所有经检测数据的仅一个子集被指派类别码时,判断此数据中的缺陷类型表示的技术。标准化可协助理解不同缺陷类型对所有经检测数据的影响,尤其当缺陷计数相当大时。此可导致缺陷分类受限于样本集。标准化用于缺陷分析,例如缺陷类型柏拉图(Pareto)、缺陷来源分析或统计过程控制(SPC)监测。
传统检视取样基于随机选择对缺陷进行取样。但是,特定高灵敏度检测继承噪声,且因此,许多经检测缺陷被视为扰乱点(nuisance)。因此,对有噪声缺陷分布的随机取样将在检视期间产生高SNV(SEM不可视)或未找到缺陷结果。
传统技术容许基于相对于总缺陷计数的成比例或不成比例样本大小的标准化。这些技术使用算术公式来通过使用每一类别中的缺陷数量与经分类缺陷的总数量的比率而估计未经分类缺陷到缺陷类别的分布。结果展示数值而不是向个别未经分类缺陷指派类别码。这些先前技术的结果通常不准确的且并不表示缺陷类别的实际分布。在经标准化缺陷类型柏拉图的实例中,缺陷类别的不准确排序可导致错误动作。同样地,标准化结果因个别缺陷无法标准化,而无法用于缺陷水平(defect-level)良率预测。个别缺陷因标准化涉及使用经检视且经分类缺陷的比例百分比来估计总体群集的实际分布的算术计算,而无法标准化。
因此,需要改进的缺陷检视取样和标准化。
发明内容
在第一实施例中,提供一种系统。所述系统包括缺陷检视系统和控制器。所述缺陷检视系统包含经配置以固持晶片的载台及经配置以产生所述晶片的图像的图像产生系统。所述控制器与所述缺陷检视系统电子通信且经配置以:使用决策树基于缺陷属性及设计属性将多个缺陷装到多个箱(bin)中;将一或多个类别码中的一者指派给所述箱中的每一者中的所述缺陷的至少一些;及对所述箱中的每一者执行标准化再分类,其中所述箱中的未经分类缺陷中的每一者被指派所述一或多个类别码中的一者。所述类别码中的每一者表示不同缺陷类型。
所述控制器可包含:处理器;电子数据存储单元,其与所述处理器电子通信;及通信端口,其与所述处理器和所述电子数据存储单元电子通信。
所述缺陷检视系统可为宽带等离子体工具。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造