[发明专利]包含含有酰胺基的聚酯的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.下述式(1)所示的化合物，

式中，

A表示苯环、或环己烷环，

X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，

Y表示-COOH、或-L-NHCO-Z-COOH，

Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，

L表示单键、或间隔基，

其中，所述化合物不包括下述两种化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，所述A为苯环。

3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述间隔基-L-由下式表示，

式中，L¹表示单键、氧原子、羰基、磺酰基、或可以具有卤原子取代基的碳原子数1～6的亚烷基。

4.一种共聚物，其包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及

来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，

式中，

A表示苯环、或环己烷环，

X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，

Y表示-COOH、或-L-NHCO-Z-COOH，

Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，

L表示单键、或间隔基。

5.根据权利要求4所述的共聚物，所述二环氧化合物由下述式(2)表示，

式中，

R⁶和R⁷表示相同或不同的含有环氧基的基团，

Q表示下述式(31)、式(32)或式(33)所示的基团，

上述式中，R¹～R⁴各自独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，所述苯基可以具有选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个取代基，此外R¹与R²、R³与R⁴可以彼此结合而形成碳原子数3～6的环，

R⁵表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、通过醚氧原子中断的碳原子数3～8的烷基、苄基或苯基。

6.根据权利要求4所述的共聚物，所述二环氧化合物由下述式(4)表示，

式中，

R⁵表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、通过醚氧原子中断的碳原子数3～8的烷基、苄基或苯基，

R⁶和R⁷表示含有环氧基的基团。

7.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含权利要求4～6中任一项所述的共聚物、和溶剂。

8.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含权利要求4～6中任一项所述的共聚物、和溶剂，其获得吸收波长248nm的光的抗蚀剂下层膜。

9.一种半导体装置的制造所使用的抗蚀剂图案的形成方法，其包含下述工序：将权利要求7或8所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂膜被覆的半导体基板曝光于波长248nm的光的工序；将曝光后的所述抗蚀剂膜进行显影的工序。

10.一种抗蚀剂下层膜，其包含权利要求4～6中任一项所述的共聚物，吸收波长248nm的光。

11.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：将权利要求7或8所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂膜被覆的半导体基板曝光于波长248nm的光的工序；将曝光后的所述抗蚀剂膜进行显影的工序；以所述抗蚀剂膜作为掩模对所述半导体基板进行加工的工序。