[发明专利]包含含有酰胺基的聚酯的抗蚀剂下层膜形成用组合物

说明书

本发明提供能够获得特别是在KrF工艺中发挥充分的防反射功能、高耐溶剂性和干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、并可以形成良好的截面形状的光致抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含共聚物，所述共聚物包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，(式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示‑COOH、或‑L‑NHCO‑Z‑COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基)。

技术领域

本发明涉及适于半导体制造工序中的光刻工序的、用于形成设置在基板与形成于其上的抗蚀剂膜(抗蚀剂层)之间的抗蚀剂下层膜的组合物。

背景技术

在将抗蚀剂膜进行曝光时，有时反射波对该抗蚀剂膜带来不良影响。在抑制该不良影响的目的下形成的抗蚀剂下层膜也称为防反射膜。

要求抗蚀剂下层膜通过涂布溶液状的抗蚀剂下层膜形成用组合物，并使其固化，从而可以容易地成膜。因此，该组合物需要包含通过加热等而容易固化，并且在规定溶剂中的溶解性高的化合物(聚合物)。

此外，对抗蚀剂下层膜要求与上层的抗蚀剂膜相比干蚀刻速度大，即干蚀刻速度的选择比大。

进一步，期望形成在抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案的与基板垂直的方向的截面形状为矩形(没有所谓的下切、底部宽大(裾引き)等的笔直的底部形状(裾形状))。例如，如果抗蚀剂图案变为下切形状或底部宽大形状，则产生抗蚀剂图案的坍塌、在光刻工序时不能将被加工物(基板、绝缘膜等)加工成所希望的形状或尺寸这样的问题。

包含以规定比例含有硫原子的聚合物的防反射膜形成用组合物在下述专利文献1中被公开了。此外，包含通过具有二个缩水甘油基的环氧化合物与具有二个巯基的含氮芳香族化合物的加聚反应而获得的反应生成物的光刻用防反射膜形成用组合物在下述专利文献2中被公开了。

然而依然期待特别是在使用了KrF准分子激光的光刻中用于形成高性能的防反射膜的组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2005/088398号公报

专利文献2：WO2006/040918号公报

发明内容

发明所要解决的课题

因此本发明的解决课题是提供满足以下那样的特性的、用于形成使用了KrF准分子激光的光刻用防反射膜的组合物。

(1)由组合物形成的抗蚀剂下层膜的反射光防止效果、抗蚀剂图案形状控制能力高。

(2)可以在该抗蚀剂下层膜上形成良好的形状的抗蚀剂图案，而不发生与抗蚀剂膜的混合。

(3)该抗蚀剂下层膜可以在使用了CF₄、或O₂/N₂的混合气体作为干蚀刻气体的条件下，以与抗蚀剂图案相比远远短的时间除去。

因此，本发明的目的是提供用于形成相对于抗蚀剂膜的干蚀刻速度的选择比大，具有高耐溶剂性，在KrF准分子激光的波长(约248nm)下显示充分的k值的抗蚀剂下层膜的组合物。此外，本发明的目的是提供在抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案成为所希望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。

用于解决课题的手段

本申请发明包含以下方案。

[1]下述式(1)所示的化合物。