[发明专利]摄像面板及其制造方法

权利要求书

1.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，其特征在于，具备：

基板；

薄膜晶体管，其形成在上述基板上；

绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；

光电转换层，其设置在上述绝缘膜之上，将上述闪烁光转换为电荷；

上部电极，其设置在上述光电转换层之上；

下部电极，其设置在上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接；

保护膜，其覆盖上述下部电极的侧端部；以及

无机绝缘膜，其覆盖上述上部电极、上述光电转换层以及上述保护膜，

上述保护膜设置在与上述光电转换层不重叠的位置。

2.根据权利要求1所述的摄像面板，

上述保护膜包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的摄像面板，

上述保护膜包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的摄像面板，

上述保护膜包括氧氮化硅。

5.一种摄像面板的制造方法，是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板的制造方法，其特征在于，包含：

在基板上形成薄膜晶体管的工序；

在上述薄膜晶体管之上形成第1绝缘膜和第2绝缘膜的工序；

在上述薄膜晶体管的漏极电极之上形成贯通上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的第1接触孔的工序；

在上述第2绝缘膜之上形成经由上述第1接触孔与上述漏极电极连接的下部电极的工序；

形成覆盖上述下部电极的侧端部的保护膜的工序；

以覆盖上述下部电极和上述保护膜的方式，按顺序形成具有第1导电类型的第1半导体层、本征非晶质半导体层以及具有与上述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层作为光电转换层的工序；

在上述第2半导体层之上形成上部电极的工序；

以覆盖上述上部电极的方式在上述第2半导体层之上涂敷抗蚀剂，对上述第1半导体层、上述本征非晶质半导体层以及上述第2半导体层进行蚀刻，形成上述光电转换层的工序；以及

对形成的上述光电转换层的表面进行使用氟化氢的清洗处理的工序，

上述保护膜设置在与上述光电转换层不重叠的位置，

在上述清洗处理之后，还包含形成覆盖上述上部电极、上述光电转换层以及上述保护膜的第3绝缘膜的工序。