[发明专利]摄像面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780062797.X 申请日: 2017-10-06
公开(公告)号: CN109804468B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 美崎克纪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01T1/20;H01L27/144;H01L29/786;H04N23/30
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;张艳凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 面板 及其 制造 方法
【说明书】:

提供能抑制光电转换层的漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具备:薄膜晶体管(13);绝缘膜(103),其覆盖薄膜晶体管(13);光电转换层(15),其将闪烁光转换为电荷;上部电极(14b);下部电极(14a),其与薄膜晶体管(13)连接;以及保护膜(142),其覆盖下部电极(14a)的侧端部。

技术领域

发明涉及摄像面板及其制造方法。

背景技术

已知通过具备多个像素部的摄像面板来拍摄X射线图像的X射线摄像装置。在这种X射线摄像装置中,例如,通过光电二极管将照射的X射线转换为电荷。通过使像素部所具备的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下也称为“TFT”。)进行动作而读出转换后的电荷。通过这样读出电荷,能得到X射线图像。在特开2013-46043号公报中公开了这种摄像面板。特开2013-46043号公报的光电二极管具有将n层、i层、p层的半导体膜层叠而成的PIN结构。在光电二极管的上部设置有包括透明导电膜的上部电极,在光电二极管的下部设置有包含铝等金属的下部电极。

发明内容

然而,在特开2013-46043号公报中,在形成PIN结构的光电转换层时,为了抑制漏电流,有时对光电二极管的表面进行用氢氟酸的清洗处理。此时,若通过清洗处理,下部电极的侧面被暴露于氢氟酸,则下部电极所包含的铝等金属会溶解。其结果是,其金属离子附着到光电转换层的侧面,成为漏电流的原因。

本发明的目的在于提供能抑制漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。

解决上述问题的本发明的摄像面板是基于从经过的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板,具备:基板;薄膜晶体管,其形成在上述基板上;绝缘膜,其覆盖上述薄膜晶体管;光电转换层,其设置在上述绝缘膜之上,将上述闪烁光转换为电荷;上部电极,其设置在上述光电转换层之上;下部电极,其设置在上述光电转换层之下,与上述薄膜晶体管连接;以及保护膜,其覆盖上述下部电极的侧端部。

根据本发明,能抑制光电转换层的漏电流。

附图说明

图1是示出实施方式的X射线摄像装置的示意图。

图2是示出图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。

图3是将图2所示的摄像面板1的一个像素部分放大后的俯视图。

图4是将图3所示的像素沿A-A线切断后的截面图。

图5A是示出在基板之上形成栅极绝缘膜和TFT并形成第1绝缘膜的工序的截面图。

图5B是示出在图5A所示的第1绝缘膜形成接触孔CH1的工序的截面图。

图5C是示出在图5B的第1绝缘膜之上形成第2绝缘膜的工序的截面图。

图5D是示出在图5C的接触孔CH1之上形成第2绝缘膜的开口的工序的截面图。

图5E是示出在图5D的第2绝缘膜之上形成金属膜的工序的截面图。

图5F是示出将图5E所示的金属膜图案化而形成经由接触孔CH1与漏极电极连接的下部电极的工序的截面图。

图5G是示出形成覆盖图5F所示的下部电极的无机绝缘膜的工序的截面图。

图5H是示出在图5G所示的无机绝缘膜之上形成抗蚀剂的工序的截面图。

图5I是示出对图5H所示的无机绝缘膜进行蚀刻而形成保护膜的工序的截面图。

图5J是示出将图5I所示的抗蚀剂剥离的工序的截面图。

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