[发明专利]弯曲的后扫描电极

说明书

一种设备用于提供离子束的离子束产生器。扫描系统可接收所述离子束并提供经扫描束。电极可接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。所述电极的垂直于所述传播方向所述扫描束的所述部分可具有弯曲形状。

技术领域

本发明涉及离子植入，且更具体来说，涉及一种具有后扫描抑制电极的离子植入机。

背景技术

离子植入是一种用于向半导体晶片引入导电性的标准技术。可在离子源中将所期望的杂质材料离子化，可将离子加速以形成规定能量的离子束，且离子束可射向晶片的前表面。束中的能量离子渗透到半导体材料的主体中且嵌入到半导体材料的晶格(crystalline lattice)中以形成具有所期望导电性的区。

离子植入机可包括用于以扫描频率在至少一个方向上使离子束偏向或扫描离子束的扫描仪以将离子束分布在晶片的前表面中。扫描仪可为所属领域中所知的静电扫描仪或磁性扫描仪。离子束可仅通过束扫描或者通过束扫描与晶片移动的组合而被分布在晶片区域中。在一个离子植入机中，扫描仪可在一个方向上扫描束且驱动系统可在与扫描方向正交的方向上翻转晶片以将离子束分布在晶片的前表面中。

传统扫描仪可包括以扫描板的形式位于由离子束产生器提供的离子束的相对两侧上的扫描电极。后扫描电极可位于扫描板的下游，且前扫描抑制电极可位于扫描板的上游。用语“上游”及“下游”是以离子束传输的方向为参考。因此，后扫描电极位于扫描仪的扫描板与角度校正器(angle corrector)之间，且前扫描抑制电极位于扫描板与离子束产生器之间。

扫描板在一个维度(dimension)上扫描离子束以提供扇形束包络线，所述扇形束包络线的位于偏向区及后扫描抑制区(post scan suppression)下游的轨迹实质上为直线。这些直线可向后延伸且在某一点处相交。所述点被称为实际扫描原点。经扫描板处理的离子束被后扫描电极接收。传统扫描仪使用扁平后扫描电极(flat post scanelectrode)。扁平后扫描电极会造成视在扫描原点(apparent scan origin)的不期望的移位。视在扫描原点应与实际扫描原点相同或实质上相同。视在扫描原点相比于实际扫描原点的不期望的下游移位是由与扁平后扫描电极相关联的束折射造成。视在扫描原点移位使实现束平行性需要更高的准直器视野(collimator field)。更高的准直器视野会造成束角度的不期望的改变，此会使放射量测定准确度(dosimetry accuracy)及其他工艺参数折衷。

因此，需要一种不会使由扫描板提供的扇形束包络线的扫描原点移位的离子植入机。

发明内容

提供此发明内容是为了以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步阐述的一系列概念。此发明内容并非旨在识别所主张主题的关键特征或本质特征，本发明内容也不旨在帮助确定所主张主题的范围。

在一个实施例中，提供一种包括用于提供离子束的离子束产生器的设备。扫描系统可接收所述离子束并提供经扫描束。电极可接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。在一个实施例中，所述电极的垂直于所述传播方向所述扫描束的所述至少一部分具有弯曲形状。

在另一个实施例中，提供一种包括用于提供离子束的离子束产生器的设备。扫描系统可接收所述离子束并提供经扫描束。电极可接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分具有弯曲形状。

在再一个实施例中，提供一种产生离子束的方法。所述方法可进一步包括：接收所述离子束且从所述离子束提供经扫描束；以及由电极接收所述经扫描束，所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。