[发明专利]电阻膏、电阻体、电子零件以及无铅的电阻体的制造方法

说明书

本发明提供一种具有高电阻值且具有电流噪声小的良好的电特性的无铅的厚膜电阻体、作为其材料的无铅的电阻膏、电子零件以及无铅的电阻体的制造方法。一种电阻膏，其含有：包含二氧化钌的导电性粒子、不含铅的玻璃料、有机载体及添加剂，作为所述添加剂，包含5质量％以上且12质量％以下的比表面积为60m²/g以上且125m²/g以下的非晶二氧化硅。

技术领域

本发明涉及一种作为厚膜芯片电阻器或混合集成电路(Integrated Circuit，IC)等电阻体的材料而使用的电阻膏、尤其是不含铅的电阻膏以及对电阻膏进行煅烧而制作的电阻体。

背景技术

之前，作为形成电子零件的电阻体被膜的方法，通常已知有：使用包含膜形成材料的电阻膏而成膜的厚膜方式与通过对膜形成材料进行溅镀等而成膜的薄膜方式。这些中，厚膜方式是在将电阻膏印刷于陶瓷基板上后，通过进行煅烧而形成电阻体的方式，所述方法由于成膜所需要的设备廉价且生产性也高，因此广泛用于制造芯片电阻器或混合IC等电子零件所具有的电阻体。

所述厚膜方式中使用的电阻膏含有：导电性粒子及玻璃料、以及用以将这些制成适合于印刷的膏状的有机载体。作为导电性粒子，通常使用二氧化钌(RuO₂)或焦绿石型钌系氧化物(Pb₂Ru₂O_7-X、Bi₂Ru₂O₇)。如此使用Ru系氧化物作为导电性粒子的原因主要在于：电阻值相对于导电性粒子的浓度而平缓地发生变化。

另外，作为玻璃料，使用硼硅酸铅玻璃(PbO-SiO₂-B₂O₃)或铝硼硅酸铅玻璃(PbO-SiO₂-B₂O₃-Al₂O₃)等包含大量的铅的硼硅酸铅系玻璃。如此玻璃料使用硼硅酸铅系玻璃的原因在于：与Ru系氧化物的润湿性良好，热膨胀系数接近基板的热膨胀系数，煅烧时的粘性等合适。

在所述电阻膏中，为了改善成膜后的电阻体的特性，自从前以来一直进行含有各种添加剂的操作。例如，在专利文献1中公开了将进行了微细化的氧化钌粉末、具有PbO的玻璃及氧化铌(Nb₂O₅)与惰性载体一起混合而制作电特性优异的厚膜电阻体用电阻膏的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特公昭63-035081号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在使用Nb₂O₅作为添加剂的情况下，可以少量的添加量实现特性的提高，但由于电阻值也明显变化，因此存在电阻值的调整困难的问题。另外，近年来，考虑到环境保护，在电子零件中无铅化得到发展，对于电阻膏也要求无铅化。另外，将所述电阻膏作为材料而制作的电子零件等存在越来越小型化、高性能化的倾向，伴随于此对电阻膏要求可制作电阻值高且电流噪声小的电阻体者。

本发明是鉴于所述状况而成者，目的在于提供一种可形成具有高电阻值且可将电流噪声抑制地小的电特性优异的无铅的厚膜电阻体的无铅的电阻膏。

解决问题的技术手段

本发明人对可达成所述目的的无铅的电阻膏进行了反复研究，结果发现通过使电阻膏中含有特定的添加剂，即便在导电性粒子使用包含钌的无铅的氧化物且玻璃料也使用无铅者的情况下，也可制作具有良好的电特性的电阻体，从而完成了本发明。