[发明专利]具有亚波长厚度的压电层的弹性波器件在审
申请号: | 201780064907.6 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN109891612A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 后藤令;邹杰;中村弘幸;C·S·林 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H01L41/107 | 分类号: | H01L41/107;H01L41/187;H01L41/083;H01L41/047 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压电层 弹性波器件 弹性波 高速层 亚波长 换能器电极 叉指型 反谐振 泄露 申请 | ||
本申请的各方面涉及一种弹性波器件。所述弹性波器件包括亚波长厚度的压电层、位于所述压电层上的叉指型换能器电极、和具有比弹性波的速度更高的体速度的高速层。所述高速层可抑制弹性波在反谐振时从所述压电层泄露。
相关申请的交叉引用
本申请要求在2016年10月20日递交的、名称为“ELASTIC WAVE DEVICE”美国临时专利申请No.62/410,804的优先权,其公开内容通过引用而合并于此。本申请要求在2016年11月17日递交的、名称为“ELASTIC WAVE DEVICE”的美国临时专利申请No.62/423,705的优先权,其公开内容通过引用而合并于此。
技术领域
本申请涉及一种弹性波器件。
背景技术
弹性波器件可实现表面声波谐振器。表面声波谐振器可以包括位于压电衬底上的叉指型换能器电极。表面声波谐振器可以在压电层的表面上生成表面声波,叉指型换能器电极设置在压电层上。表面声波谐振器可以实现表面声波滤波器。
表面声波谐振器可以实施在射频电子系统中。例如,移动电话的射频前端中的滤波器可以包括表面声波滤波器。设计满足或超过这种射频系统的设计规格的表面声波谐振器可能是具有挑战性的。
发明内容
在权利要求中描述的发明各自具有若干特征,其中没有单个特征单独承担其期望的属性。在不限制权利要求的范围的情况下,现在将简要描述本申请的一些突出特征。
本申请的一个方面是一种弹性波器件,其包括压电层、在所述压电层上的叉指型换能器电极、以及与所述压电层物理接触(physical contact)的高速层。所述压电层具有在从-10°到60°的切割角度范围内的切割角度。所述叉指型换能器电极被配置为生成具有波长λ的弹性波。所述压电层具有在从0.35λ到0.8λ的厚度范围内的厚度。所述高速层具有比弹性波的速度更高的体(bulk)速度。
所述压电层可包括铌酸锂层。所述压电层可包括钽酸锂层。所述压电层的厚度可以在从0.4λ到0.75λ的范围内。
所述高速层可以是硅层。
所述压电层的切割角度可以在-10°至50°的范围内。所述压电层的切割角度可以在-10°至30°的范围内。所述压电层的切割角度可以在从0°到30°的范围内。所述压电层的切割角度可以在从10°到30°的范围内。所述压电层的切割角度可以在从20°到30°的范围内。所述压电层的切割角度可以在30°至40°的范围内。
所述叉指型换能器电极可包括铝。在一些情况下,所述叉指型换能器电极的材料可以是铝合金。所述叉指型换能器电极可以具有在从0.02λ到0.1λ的第二厚度范围内的厚度。
所述弹性波器件可还包括温度补偿层,所述温度补偿层被布置成使得所述叉指型换能器电极设置在所述温度补偿层和所述压电层之间。所述温度补偿层可以包括二氧化硅。所述温度补偿层可具有小于0.5λ的厚度。
本申请的另一方面是一种弹性波器件,其包括铌酸锂层、在所述铌酸锂层上的叉指型换能器电极、以及与所述铌酸锂层物理接触的硅衬底。所述铌酸锂层具有在从-10°到60°的切割角度范围内的切割角度。所述叉指型换能器电极被配置为生成具有波长λ的弹性波。所述铌酸锂层具有在从0.35λ到0.8λ的厚度范围内的厚度。
所述铌酸锂层的切割角度可以是从-10°至30°的范围。所述铌酸锂层的切割角度可以是从15°到35°的范围。所述铌酸锂层的切割角度可以是从20°到30°的范围。
所述铌酸锂层的厚度可以在从0.4λ到0.75λ的范围内。
所述叉指型换能器电极可以包括铝。所述叉指型换能器电极可以具有在从0.02λ到0.1λ的第二厚度范围内的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天工方案公司,未经天工方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780064907.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:传热设备
- 下一篇:半导体器件和半导体逻辑器件