[发明专利]高频基体、高频封装件以及高频模块

权利要求书

1.一种高频基体，其特征在于，具备：

绝缘基体，在上表面具有凹部；

第1线路导体，位于所述绝缘基体的上表面；和

第2线路导体，位于所述绝缘基体的上表面，并且在俯视下与所述第1线路导体空出间隔并与所述第1线路导体并行地延伸，

所述凹部位于所述第1线路导体与所述第2线路导体之间，在俯视下与第1线路导体和第2线路导体并行地延伸并且介电常数比所述绝缘基体的介电常数低，

所述第1线路导体具有在中途将该第1线路导体分离的第1分离部，所述第1线路导体的被分离的各个具备：与所述第1分离部连续的第1电极焊盘、和从该第1电极焊盘延伸设置的第1线路，

所述第2线路导体具有在中途将该第2线路导体分离的第2分离部，所述第2线路导体的被分离的各个具备：与所述第2分离部连续的第2电极焊盘、和从该第2电极焊盘延伸设置的第2线路，

在俯视下，所述第1电极焊盘和所述第2电极焊盘被设置为夹着所述凹部而对置，并且

所述凹部在俯视下从一个所述第1电极焊盘与所述第2电极焊盘之间，经由所述第1分离部和所述第2分离部之间，延伸到另一个所述第1电极焊盘和所述第2电极焊盘之间。

2.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

所述凹部遍及各个所述第1电极焊盘的所述第1线路所连接的一侧的端部、以及各个所述第2电极焊盘的所述第2线路所连接的一侧的端部，与所述第1线路导体以及所述第2线路导体并行地延伸。

3.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

在第1电极焊盘之间以及第2电极焊盘之间，所述绝缘基体凹陷。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的高频基体，其特征在于，

在位于所述第1电极焊盘与所述第2电极焊盘之间的所述凹部的端部的侧壁具有切口部。

5.根据权利要求4所述的高频基体，其特征在于，

在所述切口部的表面具有金属化层。

6.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

在所述绝缘基体的上表面还具有接地导体层，所述接地导体层位于与所述第1线路导体、所述第2线路导体空出间隔的位置。

7.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

所述高频基体具备：被配置于所述第1分离部的上表面的第1电容器、和被配置于所述第2分离部的上表面的第2电容器。

8.根据权利要求3所述的高频基体，其特征在于，

在所述第1电极焊盘之间以及所述第2电极焊盘之间设置与所述凹部连续的槽。

9.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

所述凹部在剖视下为矩形状、锥状或者阶梯形状。

10.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

所述凹部在俯视下为矩形状、椭圆形状、正方形状或者角部为圆形的矩形状。

11.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

所述凹部由空气或者包含树脂材料、玻璃材料的电介质材料填满。

12.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，

所述第1电极焊盘的宽度比所述第1线路的宽度大，所述第2电极焊盘的宽度比所述第2线路的宽度大。

13.一种高频封装件，其特征在于，具备：

基板；

壳体，与所述基板的上表面接合，并且具有贯通孔；和

被固定于所述壳体的所述贯通孔的权利要求1至6的任意一项所述的高频基体。

14.一种高频模块，其特征在于，具备：

权利要求13所述的高频封装件；

半导体元件，被安装于所述基板的上表面，并且与所述高频封装件的所述高频基体电连接；和

盖体，与所述壳体的上端接合，覆盖所述半导体元件并且覆盖所述高频封装件的内部。