[发明专利]高频基体、高频封装件以及高频模块有效

专利信息
申请号: 201780064943.2 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN109863591B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 川头芳规 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/02;H01L23/13;H05K1/02;H05K1/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王晖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高频 基体 封装 以及 模块
【说明书】:

本发明的高频基体具备:绝缘基体、第1线路导体和第2线路导体。绝缘基体在上表面具有凹部。第1线路导体位于绝缘基体的上表面。第2线路导体位于绝缘基体的上表面,并且在俯视下与第1线路导体空出间隔并与第1线路导体并行地延伸。凹部位于第1线路导体与第2线路导体之间,并且凹部的介电常数比绝缘基体低。

技术领域

本发明涉及高频基体、使用高频基体的高频封装件、以及高频模块。

背景技术

近年来,由于便携电话等的普及,在无线通信设备中,为了传输更高速化、更大容量的信息,高频化被推进。其中,已知为了去除传输高频信号的直流电压分量而在信号线路之间设有电容器的高频基体(参照JP特开2008-311682号公报)。

在JP特开2008-311682号公报所公开的技术中,在电介质基板设有传输信号的第1线路导体以及第2线路导体。第1线路导体与第2线路导体并行地延伸。但是,在专利文献1的技术中,有可能第1线路导体与第2线路导体之间的阻抗的值变低,高频的信号的传输中损耗变大。

发明内容

本发明的一实施方式所涉及的高频基体具备绝缘基体、第1线路导体、和第2线路导体。绝缘基体在上表面具有凹部。第1线路导体位于绝缘基体的上表面。第2线路导体位于绝缘基体的上表面,并且在俯视下与第1线路导体空出间隔并与第1线路导体并行地延伸。凹部位于第1线路导体与第2线路导体之间,并且凹部的介电常数比绝缘基体低。

本发明的一实施方式所涉及的高频封装件具备基板、壳体、以及上述的高频基体。壳体被接合于基板的上表面,并具有贯通孔。高频基体被固定于壳体的贯通孔。

本发明的一实施方式所涉及的高频模块具备上述的高频封装件、半导体元件、和盖体。半导体元件被收纳于上述的高频封装件,与高频基体电连接。盖体被接合于壳体的上端,覆盖半导体元件并且覆盖高频封装件的内部。

附图说明

图1是本发明的一实施方式所涉及的高频基体的立体图。

图2是图1所示的本发明的一实施方式所涉及的高频基体,图2的(a)是本发明的一实施方式所涉及的高频基体的俯视图,图2的(b)是以图1的A表示的放大立体图。

图3是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。

图4是图3所示的本发明的其他实施方式所涉及的高频基体,图4的(a)是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图,图4的(b)是以图3的B表示的放大立体图。

图5是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。

图6是图5所示的本发明的其他实施方式所涉及的高频基体,图6的(a)是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图,图6的(b)是以图5的C表示的放大立体图。

图7是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。

图8是图7所示的本发明的其他实施方式所涉及的高频基体,图8(a)是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图,图8(b)是以图7的D表示的放大立体图。

图9是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。

图10是图9所示的本发明的其他实施方式所涉及的高频基体,图10的(a)是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图,图10的(b)是以图9的E表示的放大立体图。

图11是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的分解立体图。

图12是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体,图12的(a)是本发明的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图,图12的(b)是表示图12的(a)的F的放大立体图。

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