[发明专利]压力控制阀、用于光刻设备的流体处理结构和光刻设备

说明书

一种压力控制阀，包括：通路(210)，其具有限定用于使液体和/或气体(215)流动通过的开口(220)的部分；阻塞构件(230)，其能够相对于所述开口移位，以将所述开口阻塞不同的量，由此调节通过所述开口的液体和/或气体的体积流率；压电致动器(250)；以及连杆机构(400)，其适于放大所述压电致动器的尺寸改变的量，并且使用放大后的尺寸改变量来相对于所述开口移动所述阻塞构件，其中，所述连杆机构包括框架(500)，所述框架附接到一壁并且在第一端处相对于所述通路固定，所述框架的可移动部分(508)能够在第一方向上移动，同时在与所述第一方向正交的第二方向上基本上被约束，所述压电致动器在所述壁与所述可移动部分之间延伸，使得所述压电致动器的膨胀引起所述可移动部分在所述第一方向上移动的量大于所述压电致动器的膨胀量，所述可移动部分连接到所述阻塞构件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年10月20日和2017年4月24日递交的EP申请16194817.9和17167751.1的优先权。

技术领域

本发明涉及一种用于气体、液体或流体控制的压力控制阀，一种控制液体流或气体流或它们两者的流体处理结构，以及一种光刻设备。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每一个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中，通过辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案，同时沿与该方向平行或反向平行地同步扫描衬底来照射每一个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

已经提议将光刻投影装置中的衬底浸没在具有相对高折射率的浸没液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在实施例中，浸没液体是超纯水，尽管可以使用其它浸没液体。将参考液体来描述本发明的实施例。然而，其它流体可能是合适的，特别是湿润流体、不可压缩流体和/或折射率高于空气的折射率(期望高于水的折射率)的流体。特别期望的是除了气体之外的流体。其目的是实现较小特征的成像，这是因为曝光辐射在液体中将具有更短的波长。(液体的作用也可以被视为增加系统的有效数值孔(NA)并且增加焦深)。已经提议其它浸没液体，包括悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或者具有纳米颗粒悬浮物(例如，最大尺寸高达10nm的颗粒)的液体。悬浮颗粒可以具有或者可以不具有与悬浮有所述颗粒的液体的折射率相似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括烃，诸如芳族化合物、氟代烃和/或水溶液。

在浸没设备中，由流体处理结构来处置浸没流体。在实施例中，流体处理结构可以供应浸没流体并且可以称作流体供应系统。在实施例中，流体处理结构可以至少部分地将浸没流体限制到一区域并且可以称作流体限制系统。在实施例中，流体处理结构可以提供对浸没流体的阻挡部并且由此称作阻挡构件。在实施例中，流体处理结构产生或使用流体流(例如气流)，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体。

在流体处理结构中，可以通过控制进入和/或离开流体处理结构中的开口的液体和/或气体的流率来改善性能。期望地，流率可快速地变化。期望的是，将调节液体和/或气体的流率的压力控制阀定位为尽可能地靠近开口，以确保进入或离开开口的流率的最佳控制和反应时间。另外，因为流体处理结构中的可用空间或者靠近流体处理结构的空间是有限的，所以期望任何压力控制阀都具有小体积。期望地，可以在不将颗粒引入到系统中的情况下并且在阀具有长使用寿命和低热冲击性的情况下改变流率。