[发明专利]引线框架电感器在审
申请号: | 201780066158.0 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109891592A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 乔伊斯·马里·马莱尼克斯;罗伯托·嘉姆彼罗·马索利尼;克里斯滕·阮·帕里什;奥斯瓦尔多·乔治·洛佩斯;乔纳森·阿尔梅里亚·努吉尔 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线框架 裸片 导电材料 电感器 电路耦合 耦合到 电路 安置 配置 | ||
一个实例包含一种装置,其由裸片(104)、引线框架(102)和导电材料(108)组成。所述裸片(104)包含在其中的电路。所述引线框架(102)与所述裸片(104)和其中的所述电路耦合。所述导电材料(108)与所述引线框架(102)相对地安置于所述裸片(104)上方的空间中,所述导电材料(108)耦合到所述引线框架(102)且被配置为其一个或多个匝以形成至少一个电感器。
技术领域
本公开大体涉及一种电感器,并且更特定言之,涉及一种从引线框架形成的电感器。
背景技术
也叫作线圈或反应器的电感器为无源二端子电组件,其抵抗穿过其的电流之改变。其由通常缠绕成线圈的例如电线的导体组成。当电流流动时,能量储存于线圈中的磁场中。当流过电感器的电流改变时,根据电磁感应的法拉第定理,时变磁场诱发导体中的电压。根据楞次定理,感应电动势(EMF)的方向与创造其的电流的改变相对。许多电感器具有由在线圈内部的铁或铁氧体制成的磁芯,其用以增大磁场,和因此电感。
发明内容
一个实例包含一种装置,其包含裸片、引线框架和导电材料。所述裸片包含在其中的电路。所述引线框架与所述裸片和其中的所述电路耦合。所述导电材料与所述引线框架相对地安置于在所述裸片上方的空间中,所述导电材料耦合到所述引线框架且被配置为其一个或多个匝以形成至少一个电感器。
另一实例提供一种方法,其包含耦合引线框架与包括在其中的电路的裸片。所述方法还包含将导电材料与所述引线框架相对地安置于所述裸片上方的空间中。所述方法还包含将所述导电材料电连接到被配置为其一个或多个匝以形成至少一个电感器的所述引线框架。
另一实例提供一种装置,其包含裸片、引线框架、导电材料和磁性材料层。所述裸片包含在其中的电路。所述引线框架与所述裸片和其中的所述电路耦合。所述导电材料与所述引线框架相对地安置于在所述裸片上方的空间中,所述导电材料耦合到所述引线框架且被配置为其一个或多个匝以形成至少一个电感器。所述磁性材料层安置于所述裸片与所述导电材料之间。
附图说明
图1说明包含在裸片上方的空间中的电感器的装置的实例。
图2A和2B说明包含在裸片上方的空间中的电感器的另一实例装置的不同视图。
图3A和3B说明包含在裸片上方的空间中的电感器的另一实例装置的不同视图。
图4A和4B说明包含在裸片上方的空间中的电感器的另一实例装置的不同视图。
图5说明实例集成电路封装。
图6说明形成电感器的实例方法。
具体实施方式
本公开大体涉及一种电感器,并且更特定言之,涉及一种引线框架电感器。举例来说,公开一种装置,例如,集成电路封装,其包含在裸片上方的空间中的电感器,所述裸片在其中包含电路。由导电材料组成的引线框架用以形成电感器。在实例中,所述装置可进一步包含添加磁性材料用于屏蔽和增强电感器的性能,从而增大相同面积或体积的电感值,借此改良电感器的电感密度。引线框架电感器提供厚金属化以形成具有高电流能力的电感器,以用于与裸片共封装,例如,针对功率应用。引线框架电感器具有低直流电阻(DCR)、高效率和高饱和电流。将磁性材料与引线框架电感器一起使用(例如,在电感器与裸片之间)减少在近场和远场两者中的电磁干扰(EMI)辐射的噪音,且减小裸片中的涡电流,从而允许将引线框架电感器应用于在高度掺杂硅衬底之上的三维堆叠。使用在裸片上方的空间形成低剖面电感器适合于封装集成。举例来说,此装置可使用现有封装技术来创造。此外,此类特征允许并有装置的电路消耗比将电感器关于裸片侧向放置的方法小的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的