[发明专利]晶片的制造方法及晶片

权利要求书

1.一种晶片的制造方法，其特征在于，

包括：

倒角工序，进行从单结晶坯块切割出的晶片或研磨后的晶片的倒角；

树脂层形成工序，向倒角后的晶片的一方的面涂敷硬化性树脂，形成树脂层；

第1平面磨削工序，经由前述树脂层保持前述一方的面，对前述倒角后的晶片的另一方的面进行平面磨削；

树脂层除去工序，将前述树脂层除去；以及

第2平面磨削工序，保持前述另一方的面，对前述一方的面进行平面磨削；

在前述树脂层形成工序中，在设前述倒角后的晶片的倒角部的算术平均粗糙度为Ra（nm），设前述硬化性树脂的涂敷时的粘度为V（mPa･s）的情况下，涂敷前述硬化性树脂，以满足以下的式（1），

Ra×V≥2×10³ … （1）。

2.一种晶片，其特征在于，

在以平坦度测量器Wafersight2（KLA-Tencro公司制）的高阶形状模式测量将外周部的圆环状区域在外周方向上等分而得到的多个部位时，前述多个部位处的形状曲率的最大值为0.90nm/mm²以下。