[发明专利]晶片的制造方法及晶片

说明书

包括：倒角工序，进行从单结晶坯块切割出的晶片或研磨后的晶片的倒角；树脂层形成工序，向倒角后的晶片的一方的面涂敷硬化性树脂，形成树脂层；第1平面磨削工序，经由树脂层保持一方的面，对晶片的另一方的面进行平面磨削；树脂层除去工序，将树脂层除去；以及第2平面磨削工序，保持另一方的面，对一方的面进行平面磨削；在树脂层形成工序中，在设晶片的倒角部的算术平均粗糙度为Ra（nm），设硬化性树脂的涂敷时的粘度为V（mPa･s）的情况下，涂敷硬化性树脂，以满足以下的式（1），Ra×V≥2×10³…（1）。

技术领域

本发明涉及晶片的制造方法及晶片。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在晶片上形成多层的金属或绝缘膜的层。由于在该晶片上形成的各层的膜厚均匀性给器件的性能带来影响，所以在各层的刚形成后借助CMP（Chemical Mechanical Polishing；化学机械抛光）进行平坦化。但是，如果在晶片有起伏，则CMP的精度下降，形成膜厚不均匀的层。以往，作为使有起伏的晶片平坦化的技术，已知有以下这样的技术。

首先，在晶片的一方的面涂敷硬化性树脂，将该硬化性树脂加工为平坦并使其硬化，从而形成树脂层。然后，保持树脂层的平坦面，将晶片的另一方的面磨削而平坦化，将树脂层除去后或不除去，保持着被平坦化的另一方的面，将晶片的一方的面磨削而平坦化。另外，以下有将上述技术称作“树脂贴附磨削”的情况。

并且，进行应用这样的树脂贴附磨削的进一步的平坦化的研究（例如，参照专利文献1～4）。

在专利文献1中，公开了涂敷厚度为40μm以上不到300μm的硬化性树脂。

在专利文献2中，公开了将具有特定的特性的硬化性树脂以10μm～200μm的厚度涂敷。此外，公开了该硬化性树脂从涂布时的作业性的观点，未硬化时的粘度为1000mPa･s～50000mPa･s。

在专利文献3中，公开了以下的技术：吸引保持晶片的一方的面而将晶片的起伏矫正，将另一方的面磨削，然后，吸引保持另一方的面而将一方的面磨削，从而在双面形成同等的磨削应变，然后进行树脂贴附磨削。

在专利文献4中公开了反复进行树脂贴附磨削。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-269761号公报

专利文献2：日本特开2009-272557号公报

专利文献3：日本特开2011-249652号公报

专利文献4：日本特开2015-8247号公报。

发明内容

发明要解决的课题

可是，在上述树脂贴附磨削中，硬化性树脂在涂敷时具有流动性，所以应支承晶片外周部的部分有可能流出到比晶片靠外侧。

在专利文献1～4那样的方法中，没有将晶片外周部处的硬化性树脂的流出放入考虑，所以因为该流出的影响，不再能保持树脂层的平坦面中的与晶片外周部对应的部分的平坦性，即使然后将双面磨削，也有可能不能充分地减小起伏。此外，如果在树脂贴附磨削中不能充分地减小晶片的起伏，则有可能即使对晶片的双面进行镜面抛光也不能充分地平坦化，或有可能多个晶片间的平坦度的偏差变大。

本发明的目的在于提供在镜面抛光后能得到被充分平坦化的晶片且多个晶片间的平坦度的偏差变小的晶片的制造方法及晶片。

用来解决课题的手段

本发明者反复进行了专心研究，结果得到了以下的认识。