[发明专利]用于光刻过程的优化的方法有效
申请号: | 201780066481.8 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN109891324B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | E·C·摩斯;J·S·威尔登伯格;E·J·M·沃勒伯斯;M·范德斯卡;弗兰克·斯塔尔斯;F·H·A·叶利奇 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 过程 优化 方法 | ||
1.一种用于改善光刻过程的成品率的方法,所述方法包括:
确定整个衬底的性能参数的参数指纹,所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息;
确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹,过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联;以及
使用所述参数指纹和所述过程窗口指纹来确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,通过光刻设备内的校正装置来施加所述校正。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,通过处理站内的校正装置来应用所述校正。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述处理站是蚀刻站、沉积站或抛光站。
6.根据权利要求2所述的方法,其中,通过在管芯的子集上对所述概率进行积分来计算所述概率度量。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述管芯的子集是完全曝光的管芯。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述管芯的子集是在所述衬底上的内部区域处被曝光的管芯。
9.根据权利要求2所述的方法,其中,所述校正优化所述性能参数处于可允许范围内的多个管芯。
10.根据权利要求2所述的方法,其中,所述校正使各管芯被正确地形成在一个或更多个层中的累积概率优化。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述性能参数是聚焦参数、剂量参数、CD参数、重叠参数、侧壁角度参数和边缘放置参数中的一者。
12.一种用于改善光刻过程的成品率的方法,所述方法包括:
获得与衬底的至少一部分相关联的性能参数数据,其中,所述性能参数数据被用来控制所述光刻过程;
确定所述衬底的至少一部分的性能参数的过程窗口指纹,所述过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联;以及
修改所述性能参数数据,该修改基于该修改对所述光刻过程的成品率的预期影响。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:基于修改后的性能参数数据来控制所述光刻过程。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述性能参数数据的所述修改包括所述性能参数数据的放大或抑制。
15.一种用于改善光刻过程的成品率的方法,所述方法包括:
确定整个衬底的性能参数的不确定性指纹;
确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹,过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联;
确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量;以及
基于所述概率度量来确定量测目标在所述衬底上的位置。
16.一种用于改善光刻过程的成品率的方法,所述方法包括:
确定整个衬底的性能参数的不确定性指纹;
确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹,过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联;
确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量;以及
基于所述概率度量来确定量测目标在所述衬底上的测量位置。
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